Intégration de Systèmes de Gestion de l’Energie
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Nos recherches se déclinent en quatre grandes thématiques: les composants et fonctions de puissance intégrées sur matériaux grands gaps, les technologies très hautes fréquences sur GaN, les systèmes de conversion d'énergie et l'électronique plus soutenable
Composants et fonctions de puissance
Accroître les performances et la robustesse des composants et fonctions de puissance: du silicium aux matériaux grands gaps
Technologies des Très Hautes Fréquences
Etude des composants et circuits GaN HF, des circuits MMIC reconfigurables et robustes, et des technologies émergentes 6G
Systèmes de conversion d'énergie
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Electronique plus soutenable
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Edgar Hernando Sepúlveda-Oviedo a obtenu le Prix de Thèse 2024 de l'École Doctorale GEETS pour ses travaux de recherche sur le diagnostic de défauts dans les systèmes photovoltaïques. Ses travaux proposent une nouvelle architecture de diagnostic basée sur l'intelligence artificielle embarquée dans un système de surveillance avancé. Cette recherche a donné lieu à de multiples publications dans des conférences nationales et internationales, des publications de rang Q1, et au dépôt d'un brevet.

Daniel ROULY, doctorant, a obtenu le prix du meilleur papier au congrès MIXDES 2022 et le prix de la meilleure présentation orale au congrès de l'école doctorale GEETS 2023, pour ses travaux sur la conception et la réalisation technologique d'interrupteurs HEMT AlGaN/GaN à grille P-GaN nanostructurée.
Electronique de puissance pour la conversion d'énergie
Gestion de l'énergie embarquée

Conception de convertisseurs AC-DC à haut rendement/haute densité de puissance, réversibles et avec isolation galvanique, et stratégies de contrôle embarqué associées, pour le chargeur réversible de la voiture électrique, dans un contexte des applications « Vehicle-to-Grid ».
Gestion de l'énergie des micro-réseaux

Conception de structures d’électronique de puissance et stratégies de contrôle embarqué associées à l’intégration des énergies renouvelables et aux moyens de stockage (supercondensateur/batterie) interfacés au réseau électrique dans un contexte des applications « Smart Grid ».
Contact: Damian SAL Y ROSAS
Technologies Très Hautes fréquences
Métrologie du bruit BF et HF
Mesures du bruit électronique BF – sous pointes ou en boîtier
Nous développons des moyens de métrologie en bruit basse fréquence (LFN), qui nous permettent de prétendre à des niveaux de performances de détectivité très bas (10-28 A/Hz1/2) et jusqu’à 1 MHz. Ces outils sont ici exploités afin d’analyser les défauts électriques et structurels des dispositifs actifs dédiés aux hautes fréquences en phase de développement technologique (filières HBT GaAs, SiGe, filières HEMT GaAs, GaN, InP) et ce conjointement avec d’autres techniques électriques et optiques disponibles au sein de la plateforme de fiabilité des filières à grande bande interdite (plateforme PROOF).
Bruit électronique HF – 4 paramètres de bruit

Nous disposons de moyens de mesure des 4 paramètres de bruit, à partir de bancs large bande (10 MHz-50 GHz) pilotés par un programme permettant une meilleure maîtrise des conditions de mesure et d’extraction des paramètres de bruit HF.
Nous menons des études de développement technologique (qui ont conduit aux filières désormais commerciales BiCMOS 6G et 7RF de ST-Microelectronics, IBM 5HP et SiGeMicrosystems sur les filières HBT SiGe, aux filières GaAs et GaN de Thales III-V Lab et de OMMIC), et de développement de modèles physiques originaux de transistors (mécanismes de pièges très rapides, partition de pièges dans les zones actives de HEMT).
Mesures de stress RF sous pointes ou en boîtier

Nous développons des baies de contraintes électriques et thermiques pour les composants actifs fonctionnant aux hautes fréquences: stress RF continu CW, step stress RF ou DC, réalisés sous température constante ou sous cyclage thermique. Des mesures in-situ des paramètres statiques (courants entrée/sortie), dynamiques (puissance entrée-effective/sortie), et des paramètres [S] et de bruit NF50 (banc unique à notre connaissance – évolutions en cours) peuvent être réalisées dans un environnement totalement piloté par un logiciel développé au LAAS. Deux versions sont disponibles : banc de caractérisation connectorisé SMA (stress RF et thermique); banc sous-pointes : stress RF et thermique.
Contact: Jean-Guy TARTARIN
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Thèses / HDR soutenues
2024
Gabriel Narvaez Morales, Thèse: Intelligence artificielle pour les systèmes d'énergie renouvelable
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Guillaume Delamare, Thèse: Convertisseurs DC/DC à base de HFETs GaN pour applications spatiales
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