Etude et modélisation de composants HF GaN

• Métrologie avancée et Modélisation des filières émergentes de composants RF : développement de techniques de mesures expertes non-invasives pour l’analyse électrique des défauts dans les transistors et diodes fonctionnant à très haute fréquence (Bruit électrique BF, HF, mesures PIV paramètres [S] pulsés, mesures de paramètres de bruit NF50 et 4 paramètres de bruit, mesures transitoires, bancs de stress RF et thermique)
• Analyse des mécanismes de défaillance des technologies GaN TRL3-4 (optimisation procédé technologique) et TRL 5-6 (analyse des SOA et corrections technologiques cycle en V). Etudes de cas et études de fiabilité sous contraintes thermiques-électriques DC et RF.
• Développement de modèles électriques et en bruit HF de dispositifs HEMT GaN pour des applications « récepteurs robustes aux agressions électro-magnétiques » (brouillage et guerre électronique) en mode CW et pulsé, et sous contraintes de stress RF.

Circuits MMIC reconfigurables et robustes

• Nouvelles topologies de LNA robustes en technologie Nitrure, auto-reconfigurables et hautement intégrés pour antennes classiques et AESA. Simulation et Conception de nouvelles topologies de récepteurs MMIC pour applications Telecom (CW) et Radar (pulsé). Prédiction des zones de sûreté opérationnelle (SOA).
• Conception d’oscillateurs à haute pureté spectrale et forte puissance de sortie GaN hybrides et MMIC. Evaluation prédictive des SOA par simulation et modélisation des sources de bruit au cours de la mission.
• Conception de puces MMIC agiles à commande numérique pour commande des antennes actives et leurres en guerre électronique : corechip atténuateur/déphaseur 11 bits large-bande en GaN (version différentielle et single-ended 30-40 GHz).

Composants HBT THz

• Mesure et Analyse des signatures en bruit électrique BF pour l’amélioration des technologies HBT GaAs sur Silicium au-delà du THz (Plateforme de bruit LFN, centre d’expertise Européen labellisé Keysight).
• Analyses EM et électriques HF des structures d’accueil des dispositifs actifs sous test (HBT et diodes EB) pour une meilleure efficacité des mesures et techniques d’extraction des modèles intrinsèques.
• Développement de modèles électriques HF dédiés à l’analyse électrique et structurelle des technologies de transistors bipolaires à hétérojonction THz.

Contact: Jean-Guy TARTARIN