Edinso Gabriel Marina Alonso, doctorant de l’équipe ESE, CIFRE NXP, encadré par Patrick Tounsi et Sonia Ben Dhia, a reçu, le 9 octobre 2025, l’un des prix du meilleur article de la conférence European Symposium on Reliability of Electron devices, Failure physics and analysis (ESREF 2025), à Bordeaux.

L'article, intitulé "Long-Term Drift of a Bandgap Voltage Reference by Molding Compound Oxidation during Extended Thermal Aging", propose une méthode expérimentale basée sur l’analyse de l’interaction entre le silicium et son encapsulation (package) pour expliquer la dérive électrique d’un circuit de référence de tension de type Bandgap stressé aux hautes températures pendant une longue exposition.