Au cours des dernières décennies, les circuits intégrés de puissance ont connu une croissance très importante. Aujourd'hui la régulation et distribution d'énergie électrique jouent un rôle crucial. La réduction constante des dimensions ainsi que le besoin en densité de puissance de plus en plus élevée ont mis en évidence la nécessité de structures toujours plus performantes. La technologie "smart power" a été développée pour satisfaire ces demandes. Cette technologie utilise les dispositifs DMOS, offrants de nouvelles solutions grâce à ses caractéristiques uniques à fortes tensions et forts courants. Le fonctionnement de ces dispositifs est accompagné par l'apparition de nombreux phénomènes. Une bonne modélisation permet de modéliser ces phénomènes et prédire le comportement physique du transistor avant sa production.L'objectif de cette thèse était donc d'améliorer la modélisation et de mettre en place une bonne méthode d'extraction de certains paramètres physiques liés au fonctionnement du MOS HV. Cette thèse a été principalement dédié à la modélisation du phénomène de l'auto-echauffement  et à définir une méthode d'extraction des parasites RF dans ce transistor et ensuite de comparer le macro-modèle utilisé par STMicroelectronics avec le modèle compact HiSIM_HV dédié au MOS HV. Pour cela, il était essentiel de mettre en place des nouvelles procédures de modélisation et d'extraction et de dessiner des structures de test spécifiques.Les résultats présentés dans cette thèse ont été validées par différentes comparaison avec les mesures en technologies sur SOI et sur substrat massif.