Etudes des limites opérationnelles des technologies HEMT GaN pour les applications de très forte puissance RF pulsées (5 à 6 mois)

Ce sujet de stage de niveau M2 propose de dresser un bilan des limites opérationnelles des

technologies Nitrures (SOA technologies GaN ) dédiées aux applications des hautes-fréquences, et d’en étudier les limites véritables sous conditionnement DC et RF spécifiques. L’objectif est d’identifier les risques de destruction des composants actifs sous différentes conditions statiques et permettant de produire des signaux RF de très forte puissance sur une courte période opérationnelle.

Pour cela, une veille bibliographique permettra de dresser le bilan des conditions de polarisation et des modes de dégradation des composants HEMT GaN. Une veille des différentes options de conception des amplificateurs RF forte puissance viendra en corolaire de cette étude afin d’anticiper les points de fonctionnement statiques pertinents.

Selon l’avancement des travaux, une phase expérimentale d’agression de composants HEMT est envisagée : la mise en oeuvre d’un banc de mesure simplifié permettra d’émuler un composant HEMT sous condition d’amplificateur adapté. Différentes contraintes RF sous les conditions DC retenues en première phase permettront d’envisager une zone élargie de SOA-RF et d’en définir un périmètre plus précis en vue de travaux de thèse de doctorat ultérieurs.

Le candidat devra faire preuve de motivation sur le sujet de stage retenu avec la volonté de

poursuivre les travaux engagés lors d’une thèse de doctorat (selon déroulement du stage).

Le financement de la thèse potentielle est acté, en co-encadrement avec le CEA-Gramat (octobre 2026)

Compétences : maîtrise du logiciel ADS de chez Keysight (ou équivalent)

Formation : Master 2, diplôme d'ingénieur.

Domaines : Electronique, RF, physique des semi-conducteurs, micro-électronique

Goût et rigueur pour les sciences électroniques HF, pour la simulation et l’expérimentation