Le GaN est un semi-conducteur à large bande interdite qui est parvenu à maturité grâce aux efforts industriels dans le domaine de l'optoélectronique, offrant des applications en RF et électronique de puissance. Les propriétés uniques du GaN – la piézoélectricité, la présence d’un gaz 2D d’électrons à l’interface GaN/AlGaN, et la stabilité chimique et thermique – peuvent également être exploitées pour réaliser microsystèmes performants adaptés à des cas applicatifs spécifiques, à savoir des dispositifs pour environnements extrêmes ou des dispositifs embarqués/implantés. Par ailleurs, la croissance van der Waals de GaN sur une couche de nitrure de bore hexagonal, permet le transfert de composants III-N sur un substrat tiers, ouvrant ainsi la voie à la réalisation de dispositifs sur substrats souples. Ce projet de mobilité vise ainsi à développer une plateforme de capteurs III-N sur substrats souples dans le but de fournir des solutions pour les futurs besoins en capteurs physiques embarqués pour l'internet des objets et la robotique et en dispositifs de surveillance de la santé au plus près du patient.