Anne Hemeryck

Courte Bio

Je suis Chargée de recherche au CNRS et affectée au LAAS-CNRS dans l'équipe M3-Modélisation Multiniveaux des Matériaux. Je suis actuellement la Directrice du département MNBT-Micro Nano Bio Technologies.
J'ai soutenu ma thèse effectuée au CEA-DAM d'Arpajon en 2008 et mon Habilitation à Diriger des Recherches en 2018. Entre 2009 et 2011, j'ai effectué mon postdoctorat à l'University of Southern California à Los Angeles aux Etats-Unis, suivi d'un poste de chercheur contractuel à Chimie ParisTech, avant mon recrutement au CNRS en 2011.

Positionnement de mes travaux

Je m'intéresse à la description et à la prédiction de la structure atomique des matériaux intégrés, ainsi qu'à son incidence sur les propriétés macroscopiques observées. Je me concentre tout particulièrement sur la caractérisation des défauts présents dans les matériaux semi-conducteurs tels que le silicium (Si), le germanium (Ge) et le nitrure de gallium (GaN).

Mon intérêt est double : d'une part, répondre à des problématiques de fiabilité des dispositifs en comprenant, par exemple, l'origine des signaux d'obscurité dans les capteurs d'image ; d'autre part, contribuer au développement de nouvelles technologies, comme l'exploitation des spins de ces défauts.

Mon approche va au-delà d'une simple étude théorique en cherchant à faire le lien avec l'origine de leur présence dans les matériaux en me focalisant sur les processus de formation, qu'ils surviennent lors de l'élaboration des matériaux par la simulation des procédés, ou durant leur utilisation dans des environnements agressifs, en simulant notamment l'effet des irradiations.

Mots clés

Modélisation atomique pour l’optimisation des matériaux intégrés en microélectronique

Domaines / Mots-clés : défauts, matériaux et procédés pour les micronanotechnologies, fiabilité, irradiations, surfaces et interfaces, nanostructuration, adsorption, croissance, diffusion atomique, métaux, oxydes, semi-conducteurs, films minces, simulation multi-niveaux

Matériaux : oxydes minces et ultraminces (Si, Ge, Cu, Al, Ti), semi-conducteurs (Si, Ge, SiGe, SiC, GaN), métaux (Al, Ni, Cu, Ti, …), dopants (P, B, …), molécules organiques

Compétences : modélisation et simulation multi-niveaux, de l’atomique au continu (Théorie de la Fonctionnelle de la Densité, dynamique moléculaire, Activation Relaxation Technique, Monte Carlo cinétique, cinétique chimique, TCAD)

Quelques faits marquants

• Du 24 au 28 Juin 2024, organisation d'une école CECAM "Long time multi-scale simulations of activated events: from theory to practice" à la SISSA à Trieste - Plus d'infos
• Du 19 au 24 Aout 2024, organisation de l'école d'été du Réseau MODMAT à Banyuls sur mer - Plus d'infos
• En 2024, experte ANR
• Du 27 au 29 juin 2023, organisation d'un Workshop CECAM SSBench "Saddle point Search algorithms: towards the definition of a common BENCHmark framework" au LAAS-CNRS - Plus d'infos
• Depuis 2022, GDR MATEPI - Matériaux Epitaxiés - Bureau et Animatrice de l'Axe Modélisation et Prédiction
• Du 22 au 24 septembre 2022, organisation d'un Atelier du GDR MODMAT "Méthodes machine-learning pour la modélisation des matériaux" au LAAS-CNRS - Plus d'infos
• Depuis 2016, experte au mésocentre de calculs CALMIP pour l'attribution des heures de calculs
• Entre 2016 et 2023, responsabilité de l'équipe M3