Nous utilisons la modélisation et la simulation à l'échelle atomique, pour évaluer la fiabilité à long terme des dispositifs et garantir leur performance dans des conditions opérationnelles réelles. La pérennité des transistors ou autres composants comme les capteurs d’image peut être en effet compromise par la présence d’impuretés et de défauts ponctuels, qui sont inhérents à tout matériau semi-conducteur. Ces défauts perturbent de manière significative la structure cristalline du matériau, agissant comme des pièges à charge et altérant les propriétés électriques. Cela entraîne une dégradation progressive des performances du matériau. Nous étudions les défauts formés lors des procédés technologiques de fabrication et sous irradiation pour des applications nucléaires et spatiales.

A l’aide de méthodes numériques à l'échelle atomique, telles que les calculs ab initio et la dynamique moléculaire, nous caractérisons la structure des matériaux semiconducteurs et la stabilité des défauts, ainsi que leur impact sur les propriétés électroniques du matériau. Cette approche intégrée permet d'acquérir une compréhension approfondie des mécanismes sous-jacents à la fiabilité à long terme des composants électroniques, ouvrant la voie à des avancées continues dans ce domaine stratégique.