Nous utilisons la modélisation et la simulation à l'échelle atomique, pour évaluer la fiabilité à long terme des dispositifs et garantir leur performance dans des conditions opérationnelles réelles. La pérennité des transistors ou autres composants comme les capteurs d’image peut être en effet compromise par la présence d’impuretés et de défauts ponctuels, qui sont inhérents à tout matériau semi-conducteur. Ces défauts perturbent de manière significative la structure cristalline du matériau, agissant comme des pièges à charge et altérant les propriétés électriques. Cela entraîne une dégradation progressive des performances du matériau. Nous étudions les défauts formés lors des procédés technologiques de fabrication et sous irradiation pour des applications nucléaires et spatiales.