Simulation des procédés et formation des couches d'interface
L'objectif principal de ces activités est de comprendre la formation des couches d'interface dans les procédés de croissance. Nous recherchons les relations entre la composition et la structure des matériaux et les paramètres technologiques des procédés utilisés.
Simulation des procédés technologiques de dépôt
La modélisation atomique des procédés technologiques est essentielle pour optimiser les performances des matériaux, prévenir les défauts lors des fabrications, et accélérer le développement de nouvelles technologies. En offrant une compréhension détaillée des interactions atomiques, cette approche guide la conception précise de composants électroniques, facilite la découverte de nouveaux matériaux et ouvre des perspectives novatrices, notamment dans les domaines de la nanotechnologie.
Développements / outils méthodologiques
- Monte Carlo cinétique multi-physique
- Couplage de méthodologies atomistiques : DFT/ARTn
- Off-lattice atome resolved kMC
- Monte Carlo cinétique self-learning
Collaborations
Normand MOUSSEAU, Université de Montréal, Montréal, Canada
Layla MARTIN SAMOS, CNR-IOM, Trieste, Italie
Miha GUNDE, Ruđer Bošković Institute, Zagreb, Croatie
STMicroelectronics, Crolles
