Zone Implantation Ionique

Personnel

Eric IMBERNON (IR - Responsable de la zone)
Jean-Christophe MARROT (AI)
 

L'implantation ionique consiste à modifier les propriétés d'un matériau par l'insertion d'ions dans le volume. En micro-électronique, elle permet de doper les matériaux semi-conducteur. Elle est également utilisée pour d'autres applications comme le traitement de surfaces.
Au LAAS nous disposons d'un équipement d'implantation ionique par faisceau d'ions.

 

Principe

A partir d'une source gazeuse, solide ou liquide, contenant l'atome à implanter, un plasma est créé. Un champ électrique appliqué à la sortie de cette source permet l'extraction des ions. Ce faisceau ionique traverse ensuite un champ magnétique ou l'on sélectionne l'ion à implanter en fonction de sa masse atomique. Le faisceau est ensuite accéléré jusqu'à des énergies comprises entre 1 et 200 kV (dans le cas de notre implanteur) puis focalisé et enfin balayé sur toute la surface de l'échantillon.

 

Equipements

Axcellis (EATON) 

 

Savoir Faire

Nous réalisons principalement des implantations de Bore, Arsenic, Phosphore,Germanium, Silicium, Argon, Magnésium et Oxygène dans divers matériaux (Si, GaAs, etc.). 
Les ions jusqu'à la masse atomique 125 peuvent être traités pour des doses variant de 1011 ions/cm² à quelques 1016 ions/cm². 

Le masquage est réalisé par résines photosensibles.


Les implantations de Bore, Arsenic et Phosphore sont principalement utilisées pour la création des sources/drains de transistors MOS et anodes/cathodes de composants de type IGBT. 

Les implantations de Si et Ge sont utilisées pour l'amorphisation. 

Nous réalisons également des implantations faible énergie (10 keV) d'oxygène pour des applications de traitement de surface.


Composants de puissance 
IGBT

 

Micro disjoncteur de puissance