Zone Epitaxie par Jets Moléculaires

Personnel

Alexandre ARNOULT (IR - Responsable de la zone)
Guy LACOSTE (IE)
 

La zone Epitaxie par Jets Moléculaires regroupe les moyens d'élaboration de matériaux III/V à base de GaAs.
Les deux bâtis d'épitaxie par jets moléculaires, connectés par ultra-vide, ainsi que les moyens de caractérisation dédiés, sont intégrés à la salle blanche du LAAS (classe 10000 - ISO7).

Moyens d'élaboration

Bâti RIBER 2300
 

Cellules d'effusion :
Ga, In, Al
2xAs
cellule plasma H
RHEED 20kV                           
Spectromètre de masse                                            
Pompe ionique
Pompe turbo

 

 

 

 

 

 

Bâti RIBER 32P 
 

Cellules d'effusion
Ga, In, 2xAl 
As (cracker) 
Si, Be 
cellule plasma N   
RHEED 10kV                        
Spectromètre de masse 
Réflectométrie dynamique accordable                          
Pyromètre basses températures     
Pompe ionique 
Pompe cryogénique 
 


Bâti RIBER MBE 412 
(nouvel équipement 2012) 

 

Cellules d'effusion :  
2xGa, 2xAl, 2xIn 
2x(As) cracker 
Sb, Si, C (CBr4)  
cellule plasma N à vanne               
RHEED 12kV + KSA400   
Pyromètre 
KSA BandiT 
Spectromètre de masse 
Pompe ionique 
Pompe cryogénique 

Robot cluster : 
Module de chargement/déchargement
Module de park 
Module de dégazage haute température



Moyens de caractérisation dédiés
 

Auger Riber sous UHV

Banc de photoluminescence à température ambiante 

Diffractomètre X haute résolution 
BRUKER D8 Discover (Da Vinci design) 

Savoir-faire

Epitaxie de composants photoniques : 

  • Lasers à puits quantiques GaAs/AlGaAS, GaInAs/GaAs, GaInAsN/GaAs
  • Lasers à émission par la surface (VCSEL)
  • Lasers à crisaux photoniques

Epitaxie sur surfaces (100), (111)A, (111)B, (110) 
Epitaxie d'alliages nitrurés sur des surfaces de différentes orientations. 
Epitaxie de boîtes quantique SK InAs/GaAs 
Décontamination de surface et reprise d'épitaxie