Simulation des procédés technologiques de dépôt - M3

L'objectif principal de ces activités est de comprendre la formation des couches d'interface formées lors de la croissance des matériaux directement intégrés dans les dispositifs de la microélectronique et de mettre en relation la composition et la structure des couches élaborées avec les paramètres technologiques des procédés utilisés. La stratégie employée ici est une approche bottom-up et multi-niveaux où les données de type DFT sont utilisées comme paramètres d'entrée pour développer un code fondé sur une technique de Monte Carlo cinétique permettant de simuler la croissance à grandes échelles.

Ce code est également interfacé dans une plateforme de simulation des procédés, simple d'utilisation tel un nouvel outil de Conception Assistée par Ordinateur doté d'un granularité à l'échelle atomique (CAO atomistique).

• Croissance de CuO sur Al(111) dans le contexte d'intégration de matériaux énergétiques.
  Ce travail a été mené par Dr. Mathilde Guiltat au cours de sa thèse (2013-2016).
  Un support expérimental est en place dans le cadre d'une collaboration avec Dr. Sébastien Vizzini de l'IM2NP, à Marseille, France.

• Croissance de l'oxyde de silicium sur substrat de silicium selon le procédé d'oxydation thermique.
  Ce travail a été mené par Dr. Nicolas Salles au cours de son Post-Doctorat (2014-2016).
  Ce travail est développé dans le cadre d'une collaboration avec Dr. Nicolas Richard du CEA-DAM, Arpajon, France et avec le Pr. Normand Mousseau de l'Université de Montréal, Québec, Canada.
  Un nouveau développement est issu de ce travail dans lequel un code de DFT - le code VASP - a été couplé à la méthodologie ART nouveau. Les résultats obtenus grâce au couplage  DFT/ARTn appliqué à l'oxydation du silicium ont  été publiés dans The Journal of Chemical Physics en 2017.

• Croissance de l'oxyde d'aluminium
  Ce travail est mené en collaboration avec Dr. Dominique Costa de Chimie-ParisTech, IRCP, à Paris, France.
  Le couplage DFT/ARTn sera utilisé pour mener à bien ce projet.

• Formation de siliciure Mg2Si lors du dépôt de Mg sur Si(100)
  Ce travail est développé en collaboration avec Dr. Sébastien Vizzini de l'IM2NP, à Marseille, France.