Simulation quantique de l’effet de la température sur l’élargissement des raies d’absorption des défauts

Début: 1er semestre 2024

Durée: 4 à 6 mois

Lieu: LAAS-CNRS, 7 avenue du colonel Roche, 31400 Toulouse

Formation : Niveau M2 sur la simulation des matériaux, la chimie théorique, la simulation numérique. Une formation sur la dynamique moléculaire, sur la Théorie de la Fonctionnelle de la Densité (DFT) et une maitrise de linux et latex seraient des plus.

Sujet:
Les environnements radiatifs produisent dans les matériaux des déplacements atomiques responsables de la dégradation des propriétés électriques des composants embarqués. En effet, ces déplacements atomiques forment des défauts qui introduisent de nouveaux niveaux d’énergie dans la bande interdite.

L'objectif du stage est de calculer par la physique quantique ces niveaux et de quantifier l'influence de la température sur l'élargissent gaussien. Les matériaux étudiés pendant le stage seront des semiconducteurs utilisés dans diverses technologies de la microélectronique avancées (SiGe, GaAs, GaN, SiC,…). Les calculs de physique quantique se feront sur des supercalculateurs notamment le calculateur CALMIP.

Ce stage offre également la possibilité de poursuivre en thèse.