Stage
Simulation quantique du taux de génération de paires électron-trou par des défauts dans les semiconducteurs
Date de publication
16.01.25
Prise de poste souhaitée
01.04.25
Sujet de stage :
Les environnements radiatifs produisent dans les matériaux des déplacements atomiques responsables de la dégradation des propriétés électriques des composants embarqués. En effet, ces déplacements atomiques forment des défauts qui introduisent de nouveaux niveaux d’énergie dans la bande interdite. Ces niveaux sont à l'origine du bruit thermique dans les composants. Il se traduit par un taux de génération de paires électron-trou.
L'objectif du stage est de calculer par la physique quantique via plusieurs méthodologies. Il faudra donc coder chaque méthode puis réaliser les calculs quantiques dans des supercellules contenant les défauts pour avoir les niveaux d'énergie dans le gap et leurs conséquences. Les matériaux étudiés pendant le stage seront des semiconducteurs utilisés dans diverses technologies de la microélectronique avancée (SiGe, GaAs, GaN, SiC,…).
Les calculs de physique quantique se feront sur des supercalculateurs, notamment le calculateur CALMIP.
Ce stage offre également la possibilité de poursuivre en thèse.
Détails:
Stage rémunéré de 4 à 6 mois, 2eme semestre 2025
Formation:
Niveau M1 ou M2 sur la simulation des matériaux, la chimie théorique, la simulation numérique.
Une formation sur la dynamique moléculaire, sur la Théorie de la Fonctionnelle de la Densité (DFT) et une maîtrise de Linux seraient un plus.