Stage
Simulation quantique de des raies d’absorption induites par les d´efauts atomiques dans les semi-conducteurs.
Date de publication
16.01.25
Prise de poste souhaitée
01.04.25
Formation :
Niveau M1/M2 sur la simulation des matériaux, la chimie théorique, la simulation numérique.
Une formation sur la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT) est indispensable.
Sujet de stage:
Les conditions de synthèse des composants électroniques induisent la présence de contaminants au sein de leur structure cristalline censée être parfaite. Ces contaminants sont néfastes pour le composant car ils introduisent de nouveaux niveaux d'énergie dans la bande interdite des semi-conducteurs. Ces niveaux peuvent aussi être utilisés pour repérer les types de contaminants en photoluminescence. Pour réaliser cela, il est nécessaire de pouvoir comparer les spectres expérimentaux avec des abaques théoriques.
L'objectif du stage est de calculer par la physique quantique ces niveaux d'énergie, et plus particulièrement leur spectre d'absorption. Ces calculs iront au-delà de la DFT (GW-BSE), c'est pourquoi de solides bases théoriques sont requises. Le matériau étudié pendant le stage sera le silicium et les contaminants seront des métaux. Les calculs de physique quantique se feront sur des supercalculateurs, notamment le calculateur CALMIP.
Ce stage offre également la possibilité de poursuivre en thèse.