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Frequency synthesis from 2 to 30 GHz using a 0.35 um BiCMOS SiGe technology
A.COUSTOU, M.SIE, D.DUBUC, J.GRAFFEUIL, E.TOURNIER, O.LLOPIS, R.PLANA, C.BOULANGER
CISHT, CNES
Manifestation avec acte : 33rd European Microwave Conference (EuMC'2003), Munich (Allemagne), Octobre 2003, pp.395-398 , N° 03419
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101277A BiCMOS SiGe low phase noise tunable 30 GHz RF source using a frequency tripler and a VCO
A.COUSTOU, D.DUBUC, J.GRAFFEUIL, E.TOURNIER, O.LLOPIS, C.BOULANGER, R.PLANA, V.LEGOASCOZE
CISHT, CNES, ST Microelectronics
Manifestation avec acte : IEEE 2003 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM'2003), Toulouse (France), 28-30 Septembre 2003, pp.53-56 , N° 03396
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101207High-speed, spurious-free sequential phase frequency detector and dual-modulus prescalers for RF frequency synthesis
M.SIE, E.TOURNIER, R.PLANA, J.GRAFFEUIL
CISHT
Manifestation avec acte : 2003 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium (RFIC'2003), Philadelphia (USA), 8-10 Juin 2003, pp.679-682 , N° 02554
Diffusable
100819Monolithic millimeterwave frequency tripler using a 0.35 um BiCMOS SiGe technology
A.COUSTOU, D.DUBUC, J.GRAFFEUIL, E.TOURNIER, O.LLOPIS, C.BOULANGER, R.PLANA, I.TELLIEZ
CISHT, CNES, ST Microelectronics
Manifestation avec acte : 2003 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium (RFIC'2003), Philadelphia (USA), 8-10 Juin 2003, pp.487-490 , N° 03250
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100849X band BiCMOS SiGe 0.35um voltage controlled oscillator in parallel and reflection topology and external phase noise improvement solution
K. W.WONG, G.CIBIEL, J.G.TARTARIN, E.TOURNIER, R.PLANA, O.LLOPIS
CISHT
Manifestation avec acte : 2003 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium (RFIC'2003), Philadelphia (USA), 8-10 Juin 2003, pp.281-284 , N° 02557
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100820Conception d'un combineur de puissance actif coplanaire original en technologie BiCMOS SiGe
C.VIALLON, E.TOURNIER, T.PARRA
CISHT
Manifestations avec acte à diffusion limitée : 13èmes Journées Nationales Microondes (JNM'2003), Lille (France), 21-23 Mai 2003, 4p. , N° 02547
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100837OCT à topologie parallèle et série fonctionnant en bande X en technologie BiCMOS SiGe 0,35um
K. W.WONG, G.CIBIEL, J.G.TARTARIN, E.TOURNIER, R.PLANA, O.LLOPIS
CISHT
Manifestations avec acte à diffusion limitée : 13èmes Journées Nationales Microondes (JNM'2003), Lille (France), 21-24 Mai 2003, 2p. , N° 02555
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100840SiGe based low noise amplifier for WLAN applications
J.SADOWY, V.LE GOASCOZ, I.TELLIEZ, J.GRAFFEUIL, E.TOURNIER, L.ESCOTTE, R.PLANA
CISHT, ST Microelectronics
Manifestation avec acte : 1st International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM'2003), Nagoya (Japon), Janvier 2003, pp.255-256 , N° 03375
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101161An original active balun design using CPS transmission lines and a SiGe BiCMOS technology
C.VIALLON, E.TOURNIER, T.PARRA
CISHT
Rapport LAAS N°02549, Décembre 2002, 4p.
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100296Low noise, high linearity, wide bandwidth amplifier using a 0.4 um SiGe BiCMOS for WLAN applications
J.SADOWY, V.LE GOASCOZ, I.TELLIEZ, J.GRAFFEUIL, E.TOURNIER, L.ESCOTTE, R.PLANA
ST Microelectronics, CISHT
Manifestation avec acte : 2002 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium (RFIC), Seattle (USA), 2-4 Juin 2002, pp.217-220 , N° 01565
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Abstract
In this paper, we present the design of an integrated low noise amplifier (LNA) for WLAN applications in the 6 GHz range using a low complexity Site BiCMOS technology. The Site HBTs used in the design feature a typical cut-off frequency Ft of 45 GHz and a typical maximum oscillation frequency Fmax of 60 GHz. The LNA exhibits a 17 dB power gain with a 1.4 GHz bandwidth and a noise figure lower than 2.5 dB. The 1 dB compression point is -18 dBm and the third order intercept point referred to the Input is -7 dBm. We have furthermore observed a good accuracy between simulations and measurements. Finally, we have defined a new figure of merit involving the noise measure and the DC power consumption that shows that our design features a performance at the state of the art.