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Optimisation technologique des transistors bipolaires hyperfréquence de puissance à hétérojonction GaAs/GaAlAs

H.GRANIER

M2I

Doctorat : Doctorat, Université Paul Sabatier, Toulouse, 28 Septembre 1995 , N°2124, 173p., Jury : G.REY, Président - Examinateurs : J.TASSELLI, P.HESTO, P.LAUNAY, D.LIPPENS, S.L.DELAGE, A.MARTY , N° 95389

Lien : http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00146678

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GaAlAs/GaAs and GaInP/GaAs HBT's for power applications

J.P.BAILBE, J.TASSELLI, L.ANDRIEUX, H.GRANIER, T.CAMPS, A.CAZARRE, A.MARTY, M.FALEH

SIIIV

Manifestation avec acte : 19th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE'95), Stockholm (Suède), 21-24 Mai 1995, 3p. , N° 95221

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Theory and experiment of the temperature dependence of GaAlAs/GaAs HBT's characteristics for power amplification applications

J.P.BAILBE, L.ANDRIEUX, A.CAZARRE, T.CAMPS, A.MARTY, J.TASSELLI, H.GRANIER

SIIIV

Revue Scientifique : Solid State Electronics, Vol.38, N°2, pp.279-286, Février 1995 , N° 94089

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Conception et réalisation d'amplificateurs de puissance hyperfréquence à base de transistors bipolaires à hétérojonction sur arséniure de gallium

A.MARTY, L.ANDRIEUX, J.P.BAILBE, T.CAMPS, A.CAZARRE, M.FALEH, H.GRANIER, J.TASSELLI

SIIIV

Rapport de Contrat : Contrat Région N°9300092, Octobre 1994, 9p. , N° 94416

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Conception et réalisation de transistors bipolaires de puissance haute fréquence à hétérojonction sur AsGa

J.P.BAILBE, A.MARTY, T.CAMPS, J.TASSELLI, A.CAZARRE, H.GRANIER, L.ANDRIEUX

SIIIV

Rapport de Contrat : Contrat Région N°9007829, Avril 1994, 154p. , N° 94154

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GaAlAs/GaAs heterojunction bipolar transistors for microwave power applications

J.TASSELLI, A.MARTY, T.CAMPS, A.CAZARRE, H.GRANIER, L.ANDRIEUX, J.P.BAILBE

SIIIV

Manifestation avec acte : 1993 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS'93), Charlottesville (USA), 1-3 Décembre 1993, pp.779-782 , N° 93359

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Technology process for power AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors

J.TASSELLI, H.GRANIER, T.CAMPS, A.CAZARRE, L.ANDRIEUX, A.MARTY, J.P.BAILBE

SIIIV, TEAM, M2I

Manifestation avec acte : Heterostructure Technology Workshop, Villeneuve d'Ascq (France), 26-28 Septembre 1993 (Résumé) , N° 93446

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High frequency power AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors

T.CAMPS, J.TASSELLI, A.CAZARRE, A.MARTY, J.P.BAILBE, H.GRANIER, L.ANDRIEUX, J.P.ROUX

SIIIV, TEAM, CCM

Manifestation sans acte : WOCSDICE'93 Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, Parme (Italie), 31 Mai - 1er Juin 1993 (Résumé) , N° 93297

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