132documents trouvés
FE analysis of the electro-thermal behaviour of power MOSFETs under extreme conditions
T.AZOUI, P.TOUNSI, J.M.DORKEL, P.DUPUY
ISGE, FREESCALE
Rapport LAAS N°12178, Avril 2012, 4p.
Diffusable
126990VDMOS Ron as a mechanical state indicator for device failure anticipation
E.MARCAULT, M.BREIL, A.BOURENNANE, P.TOUNSI, J.M.DORKEL
ISGE
Revue Scientifique : Microelectronics Reliability, Vol.52, N°3, pp.489-496, Mars 2012 , N° 11139
Diffusable
127144Interest of surface treatment at gate oxyde level for power MOSFETs quality and reliability
E.POMES, J.M.REYNES, P.TOUNSI, J.M.DORKEL
ISGE, FREESCALE
Manifestation avec acte : International Conference on Microelectronics (ICM 2011), Hammamet (Tunisie), 19-22 Décembre 2011, 6p. , N° 11568
Diffusable
126336Electro-thermal delamination analysis of power MOSFET under short circuit condition
T.AZOUI, P.TOUNSI, J.M.DORKEL, P.DUPUY, L.GUILLOT
ISGE, FREESCALE
Rapport LAAS N°11590, Novembre 2011, 3p.
Diffusable
1257483D electro-thermal modelling of bonding and metallization ageing effects for reliability improvement of power MOSFETs
T.AZOUI, P.TOUNSI, P.DUPUY, L.GUILLOT, J.M.DORKEL
ISGE, FREESCALE
Manifestation avec acte : European Symposium Reliability of Electron Devices Failure Physics and Analysis (ESREF 2011), Bordeaux (France), 3-7 Octobre 2011, 5p. , N° 11204
Diffusable
1258543D electro-thermal modelling of bonding and metallization ageing effects for reliability improvement of power MOSFETs
T.AZOUI, P.TOUNSI, P.DUPUY, L.GUILLOT, J.M.DORKEL
ISGE, FREESCALE
Revue Scientifique : Microelectronics Reliability, Vol.51, N°9-11, pp.1945-1947, Octobre 2011 , N° 11204
Diffusable
125855Impact of source metallization ageing on thermo-mechanical characteristics of a vertical power device
E.MARCAULT, M.BREIL, A.BOURENNANE, P.TOUNSI, D.MARTINEAU, P.DUPUY
ISGE, CEMES/CNRS, FREESCALE
Manifestation avec acte : Power Electronics and Applications (EPE 2011), Birmingham (UK), 30 Août - 1 Septembre 2011, pp.1-7 , N° 11117
Diffusable
125397Exploring ageing effects on integrated power devices (I-V) for health monitoring
E.MARCAULT, M.BREIL, A.BOURENNANE, P.TOUNSI, P.DUPUY
ISGE, FREESCALE
Manifestation avec acte : Conference on Ph. D. Research in Microelectronics and Electronics (PRIME 2011), Trento (Italie), 4-8 Juillet 2011, 4p. , N° 11108
Diffusable
125423MOSFETs quality and robustness enhancement with a new QBD characterization performed at probe-die-wafer level
E.POMES, J.M.REYNES, P.TOUNSI, J.M.DORKEL
ISGE, FREESCALE
Manifestation avec acte : Microtechnology and Thermal Problems in Electronics (MICROTHERM 2011), Lodz (Pologne), 28 Juin - 1 Juillet 2011, 6p. , N° 11245
Diffusable
125640Studies on the error generated by dynamic compact thermal model
T.AZOUI, P.TOUNSI, J.M.DORKEL
ISGE
Manifestation avec acte : Microtechnology and Thermal Problems in Electronics (MICROTHERM 2011), Lodz (Pologne), 28 Juin - 1 Juillet 2011, 7p. , N° 11572
Diffusable
125622