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La gravure profonde du silicium de réseaux de tranchées denses à fort facteur de forme
P.DUBREUIL, M.BRUNET, H.E.DKOTB MAHFOZ, G.TOULON, H.GRANIER
TEAM, ISGE
Rapport LAAS N°07625, Novembre 2007, 26p.
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111969A simplified process for high-resolution UV-NIL templates fabrication
L.JALABERT, E.DARAN, J.B.DOUCET, F.CARCENAC, P.SALLES, G.BENASSAYAG, P.DUBREUIL, O.BOUCHARD, S.HERNANDEZ, J.NAVARRO
CEMES/CNRS, TEAM, PH, LAPLACE
Manifestation avec acte : Nanoprint Nanoimprint 2007 (NNT 2007), Paris (France), 10-12 Octobre 2007, 2p. , N° 07492
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113000Profile enhancement of high aspect ratio silicon pores made by DRIE with TMAH+IPA bath
M.BRUNET, M.DILHAN, D.BOURRIER, H.E.DKOTB MAHFOZ, A.BENAZZI, P.DUBREUIL, E.SCHEID
ISGE, TEAM, M2D
Manifestation avec acte : 18th Workshop on MicroMechanics Europe (MME 2007), Guimaraes (Portugal), 16-18 Septembre 2007, 4p. , N° 07513
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Mots-Clés / Keywords
High aspect ratio; DRIE; TMA; IPA; Scalloping;
ICP-RIE etching for high aspect ratio GaAs nanowires based on Cl2/N2 chemistry
L.JALABERT, P.DUBREUIL, F.CARCENAC, S.PINAUD, L.SALVAGNAC, O.GAUTHIER-LAFAYE, S.BONNEFONT
TEAM, PH
Manifestation avec acte : 33rd International Conference on Micro and Nano Engineering (MNE2007), Copenhague (Danemark), 23-26 Septembre 2007, 2p. , N° 07491
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Mots-Clés / Keywords
ICP-RIE; Plasma etching; Cl2/N2 chemistry; GaAs nano-columns; GaAs nanowires;
Performance of 3D capacitors integrated on silicon for DC-DC converter applications
A.BENAZZI, M.BRUNET, P.DUBREUIL, N.MAURAN, L.BARY, J.P.LAUR, J.L.SANCHEZ, K.ISOIRD
ISGE, TEAM, 2I
Manifestation avec acte : 12th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE 2007), Aalborg (France), 2-5 Septembre 2007, 9p. , N° 07511
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Mots-Clés / Keywords
Trench; Schottky contact; Phosphorus diffusion; DC-DC power converter; Deep reactive ion etching; Integrated capacitor;
Deep trench MOSFET structures study for a 1200 volts application
L.THEOLIER, K.ISOIRD, F.MORANCHO, J.ROIG GUITART, H.E.DKOTB MAHFOZ, M.BRUNET, P.DUBREUIL
ISGE, TEAM
Manifestation avec acte : 12th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE 2007), Aalborg (Danemark), 2-5 Septembre 2007, 9p. , N° 07284
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Mots-Clés / Keywords
Power semiconductor devices; MOSFET; Super junction devices; Traction application;
Procédé d'oxidation planaire de tructures GaAs/AlAs pour la réalisation d'un oxyde enterré
M.CONDE, C.AMAT, G.ALMUNEAU, L.JALABERT, P.DUBREUIL, F.CRISTIANO, C.FONTAINE
PH, TEAM, M2D
Manifestation avec acte : Optique. Horizons de l'Optique, Grenoble (France), 2-5 Juillet 2007, pp.112-113 , N° 07418
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Résumé
Nous présentons une technique de réalisation d'un oxyde enterré localisé. Il s'agit d'un procédé, appliqué en surface, basé sur la photolithographie, la gravure sèche par plasma et l'oxydation thermique humide. Cette méthode permet d'oxyder localement une couche enterrée riche en Aluminium per un processus vertical. Contrairement à l'oxydation latérale habituelle elle permet la réalisation de différentes formes des zones oxidées et ouvre l'accès à des dimensions de diaphragmes d'oxyde plus petites et mieux controlées.
Free engineering of burried oxide patterns in GaAs/AlAs epitaxial structures
C.AMAT, G.ALMUNEAU, P.GALLO, L.JALABERT, S.MOUMDJI, P.DUBREUIL, T.CAMPS, J.B.DOUCET, E.HAVARD, V.BARDINAL, C.FONTAINE, A.MUNOZ YAGUE
PH, TEAM
Revue Scientifique : Electronics Letters, Vol.43, N°13, pp.730-732, Juin 2007 , N° 07272
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110605Rapport intermédiaire du laboratoire commun LISPA
P.ALOISI, C.ALONSO, M.BAFLEUR, V.BOITIER, F.CAIGNET, P.DUBREUIL, B.ESTIBALS, E.IMBERNON, K.ISOIRD, H.E.DKOTB MAHFOZ, N.MAURAN, F.MORANCHO, N.NOLHIER, J.ROIG GUITART, B.ROUSSET, C.SALAMERO, J.L.SANCHEZ, E.SCHEID, H.TRANDUC, B.CHAUDRET, M.KHAN, A.MAISONNAT, C.ESTOURNES, J.L.CHAPTAL, A.DERAM, R.ESCOFFIER, U.MONIRAT, P.RENAUD, J.M.REYNES, E.STEFANOV, B.VRIGNON, J.CALVENTE
ISGE, TEAM, 2I, M2D, LCC, CIRIMAT, FREESCALE, DEEEA
Rapport de Contrat : Laboratoire Commun LISPA, Mai 2007, 20p. , N° 07273
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110604Performances de condensateurs 3D intégrés sur silicium
M.BRUNET, A.BENAZZI, L.BARY, N.MAURAN, P.DUBREUIL, J.L.SANCHEZ
ISGE, 2I, TEAM
Manifestation sans acte : GDR Intégration des Systèmes de Puissance à 3 dimensions (ISP3D), Montpellier (France), 18-19 Octobre 2006, 4p. , N° 06870
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