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Behavioural study of single envent burnout in power devices for natural radiation environment applications

M.ZERARKA, P.AUSTIN, G.TOULON, F.MORANCHO, H.ARBESS, J.TASSELLI

ISGE

Revue Scientifique : IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.59, N°12, pp.3482-3488, Décembre 2012 , N° 12621

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Development of a near UV SPA laser tool for wide band gap semiconductor single events assessment

S.MORAND, F.MILLER, T.SANTINI, F.MOLIERE, E.CELERAULT, B.FOUCHER, P.AUSTIN, T.CARRIERE, R.GAILLARD

ISGE, EADS, EADS Space Transp., INFODUC SARL

Manifestation avec acte : European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS) 2012 du 24 septembre au 28 septembre 2012, Biarritz (France), Septembre 2012, 5p. , N° 12732

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Analysis study of sensitive volume and triggering criteria of SEB in super-junction MOSFETs

M.ZERARKA, P.AUSTIN, F.MORANCHO, K.ISOIRD, H.ARBESS, J.TASSELLI

ISGE

Manifestation avec acte : Prague (République Tchèque), 6p. , N° 12570

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Vers une filière et un support de conception EDA (Electronic Design Automation) des fonctions de coupure spécifiques

C.GINESTE, T.BOUCHET, O.GATTI, J.C.CREBIER, P.AUSTIN, N.ROUGER, A.BOURENNANE, F.MORANCHO, M.BREIL

ADIS Innovation, G2Elab, ISGE

Manifestation avec acte : Conférence Electronique de Puissance du Futur (EPF 2012), Bordeaux (France), 5-7 Juillet 2012, 4p. , N° 12408

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Cosmic ray immunity of new IGBT structures for aerospace application

M.ZERARKA, P.AUSTIN, M.BAFLEUR

ISGE

Manifestation avec acte : International Semiconductor Conference (CAS 2011), Sinaia (Roumanie), 17-19 Octobre 2011, 4p. , N° 11541

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Temperature effects on power MOSFET and IGBT sensitivities toward single events

S.MORAND, F.MILLER, P.AUSTIN, P.POIROT, R.GAILLARD, T.CARRIERE, N. BUARD

ISGE, EADS, INFODUC SARL, EADS Space Transp.

Manifestation avec acte : European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS) 2011 du 19 septembre au 23 septembre 2011, Seville (Espagne), Septembre 2011, 6p. , N° 11869

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Comparative study of sensitive volume and triggering criteria of SEB in 600V planar and trench IGBTs

M.ZERARKA, P.AUSTIN, M.BAFLEUR

ISGE

Revue Scientifique : Microelectronics Reliability, Vol.51, N°9-11, pp.1990-1994, Septembre 2011 , N° 11556

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Approche de la modélisation distribuée appliquée à la diode PIN de puissance utilisant la langage VHDL-AMS

A.HNEINE, J.L.MASSOL, P.TOUNSI, P.AUSTIN

ISGE

Manifestation sans acte : Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique (JNRDM 2011), Paris (France), 23-25 Mai 2011, 4p. , N° 11090

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Distributed modeling approach applied to the power P-I-N diode using VHDL-AMS

A.HNEINE, J.L.MASSOL, P.TOUNSI, P.AUSTIN

ISGE

Manifestation avec acte : Thermal, Mechanical and Multi-Physics Simulation and Experiments in Microelectronics and Microsystems (EuroSimE 2011), Linz (Autriche), 17-20 Avril 2011, 3p. , N° 10734

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Experimental demonstration of an anode voltage for high voltage IGBT over-voltage protection

C.CARAMEL, D.FLORES, S.HIDALGO, J.LE GAL, P.AUSTIN, E.IMBERNON, J.REBOLLO, J.L.SANCHEZ

ISGE, Université de Barcel, TEAM

Revue Scientifique : Semiconductor Science and Technology, Vol.25, N°11, 115014p., Novembre 2010 , N° 10582

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