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Comparative study of electrical and microstructural investigations of 4H-SiC MOSFETs
C.STRENGER, V.HAUBLEIN, T.ERLBACHER, A.JBAUER, H.RYSSEL, A.BELTRAN, S.SCHAMM-CHARDON, V.MORTET, E.BEDEL-PEREIRA, M.LEFEBVRE, F.CRISTIANO
Fraunhofer Erlangen, M2D, CEMES/CNRS
Ouvrage (contribution) : Materials Science Forum. Silicon Carbide and Related Materials 2011, Vol.717-720, N°ISBN 978-3-03785-419-8, Mai 2012, pp.437-440 , N° 11561
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127720Nano-analytical and electrical characterization of 4H-SiC MOSFETs
A.BELTRAN, S.SCHAMM, V.MORTET, M.LEFEBVRE, E.BEDEL-PEREIRA, F.CRISTIANO, C.STRENGER, V.HAUBLEIN, A.JBAUER
M2D, CEMES/CNRS, Fraunhofer Erlangen
Revue Scientifique : Materials Science Forum, Vol.711, pp.134-138, Janvier 2012 , N° 11565
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126407Mobility degradation in 4H-SiC MOSFETs: comparison of electrical and structural investigations
V.MORTET, A.BELTRAN, E.BEDEL-PEREIRA, F.CRISTIANO, S.SCHAMM, C.STRENGER, V.HAUBLEIN, A.JBAUER
M2D, CEMES/CNRS, Fraunhofer Erlangen
Manifestation avec acte : ECS Meeting and Electrochemical Energy Summit, Boston (USA), 9-14 Octobre 2011, 1p. , N° 11564
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125595Comparative study of electrical and microstructural investigations of 4H-SiC MOSFETs
C.STRENGER, V.HAUBLEIN, T.ERLBACHER, A.JBAUER, H.RYSSEL, A.BELTRAN, S.SCHAMM-CHARDON, V.MORTET, E.BEDEL-PEREIRA, M.LEFEBVRE, F.CRISTIANO
Fraunhofer Erlangen, M2D, CEMES/CNRS
Manifestation sans acte : International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2011), Cleveland (USA), 11-16 Septembre 2011, 4p. , N° 11561
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125590Nano-analytical and electrical characterization of 4H-SiC MOSFETs
A.BELTRAN, S.SCHAMM, V.MORTET, M.LEFEBVRE, E.BEDEL-PEREIRA, F.CRISTIANO, C.STRENGER, V.HAUBLEIN, A.JBAUER
M2D, CEMES/CNRS, Fraunhofer Erlangen
Manifestation avec acte : HeteroSiC-WASMPE 2011, Tours (France), 27-30 Juin 2011, 5p. , N° 11565
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125597Deep level transient spectroscopy study of ion implantation-induced extended defects in silicon
J.BOUCHER, F.OLIVIE, K.KOUKOS, E.BEDEL-PEREIRA, D.BOLZE, Y.YAMAMOTO, F.CRISTIANO
M2D, PHOTO, IHP
Manifestation avec acte : International Conference on Defects in Semiconductors ( ICDS ) 2011 du 17 juin au 22 juin 2011, Nelson (Nouvelle Zélande), 2011, 1p. , N° 11866
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128720Electrical characterization of extended defects in ion implanted ultra-shallow junctions: impact on induced leakage current
J.BOUCHER, K.KOUKOS, E.BEDEL-PEREIRA, F.OLIVIE, D.BOLZE, Y.YAMAMOTO, F.CRISTIANO
M2D, PHOTO, IHP
Manifestation avec acte : E-MRS Spring Meeting 2011 du 09 mai au 13 mai 2011, Nice (France), Mai 2011, 1p. , N° 11867
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128890Study of nitrogen effects on the boron diffusion during heat treatment in PolySi/NIDOS thin films
L.SACI, R.MAHAMDI, F.MANSOUR, J.BOUCHER, M.COLLET, E.BEDEL-PEREIRA, P.TEMPLE BOYER
Constantine, M2D
Revue Scientifique : Japanese Journal of Applied Physics, Vol.50, N°5, pp.051301-1-051301-5, Mai 2011 , N° 11151
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126241Towards a room temperature organic spin valve: structural, magnetics and transport properties of Fe3O4/PTCTE/Co devices
M.PALOSSE, E.BEDEL-PEREIRA, F.OLIVIE, I.SEGUY, C.VILLENEUVE, T.BLON, C.GATEL, B.WAROT-FONROSE, J.F.BOBO
M2D, MINC, LPCNO, CEMES/CNRS
Manifestation avec acte : MRS Spring Meeting and Exhibit, San Francisco (USA), 25-29 Avril 2011, 6p. , N° 11216
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124534Spin-polarized transport in NiFe/PTCTE/Co organic spin valves
M.PALOSSE, M.FISICHELLA, E.BEDEL-PEREIRA, I.SEGUY, C.VILLENEUVE, B.WAROT-FONROSE, J.F.BOBO
M2D, MINC, ONERA
Revue Scientifique : Journal of Applied Physics, Vol.109, N°07, 07C723p., Avril 2011 , N° 10636
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