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08811
01/06/2008

Ingénierie de longueur d'onde de lasers DFB tout cristal photonique

A.LARRUE, O.GAUTHIER-LAFAYE, A.MONMAYRANT, S.BONNEFONT, F.LOZES-DUPUY

PH

Manifestation sans acte : Journées Nano Micro et Optoélectronique (JNMO'08), Ile d'Oléron (France), 3-6 Juin 2008, 1p. (Résumé) , N° 08811

Diffusion restreinte

117403
08810
01/06/2008

Diodes laser GaSb à cavités couplées par cristaux photoniques

S.MOUMDJI, O.GAUTHIER-LAFAYE, S.BONNEFONT, F.LOZES-DUPUY, A.VICET, Y.ROUILLARD

PH, IES

Manifestation sans acte : Journées Nano Micro et Optoélectronique (JNMO'08), Ile l'Oléron (France), 3-6 Juin 2008, 1p. (Résumé) , N° 08810

Diffusion restreinte

117401
08809
01/06/2008

Fabrication et caractérisation de cavités à cristaux photoniques fonctionnant dans le visible/proche visible

C.VION, A.MAITRE, O.GAUTHIER-LAFAYE, S.BONNEFONT, F.LOZES-DUPUY

INSP, PH

Manifestation sans acte : Journées Nano Micro et Optoélectronique (JNMO'08), Ile d'Oléron (France), 3-6 Juin 2008, 1p. (Résumé) , N° 08809

Diffusion restreinte

117399
06891
01/06/2008

Dispositif de détection d'interférences monolithique intégré

P.ARGUEL, F.LOZES-DUPUY, G.SARRABAYROUSE, O.BOUCHARD

PH, M2D

Brevet : Numéro de publication internationale: WO2008074939 (A1), Juin 2008, 16p. , N° 06891

Diffusable

116356
08791
01/05/2008

2D resonant grating optical filters for 850 nm wavelength, in normal and oblique incidence

S.HERNANDEZ, O.GAUTHIER-LAFAYE, A.L.FEHREMBACH, A.SENTENAC, S.BONNEFONT, P.ARGUEL, F.LOZES-DUPUY

PH, Fresnel

Manifestation avec acte : CLEO/IQEC 2008, San Jose (USA), 4-9 Mai 2008, 2p. , N° 08791

Diffusable

116938
08792
01/05/2008

Photonic crystal single-mode DFB laser array with precise frequency spacing

A.LARRUE, O.BOUCHARD, L.JALABERT, A.ARNOULT, A.MONMAYRANT, O.GAUTHIER-LAFAYE, S.BONNEFONT, F.LOZES-DUPUY

PH, TEAM

Manifestation avec acte : CLEO/IQEC 2008, San Jose (USA), 4-9 Mai 2008, 2p. , N° 08792

Diffusion restreinte

116954
08575
01/05/2008

Anomalous low-temperature photoluminescence behaviour of silicon nanocrystals

K.KOUKOS, G.SAUNIER, E.BEDEL-PEREIRA, O.GAUTHIER-LAFAYE, E.SCHEID, G.SARRABAYROUSE, F.LOZES-DUPUY

PH, M2D

Manifestation avec acte : E-MRS Spring Meeting 2008, Strasbourg (France), 26-30 Mai 2008, 1p. (Résumé) , N° 08575

Diffusable

115553
08795
01/04/2008

High performance 2D resonant grating filter at 850 nm under high oblique incidence of ~60°

S.HERNANDEZ, O.GAUTHIER-LAFAYE, A.L.FEHREMBACH, S.BONNEFONT, P.ARGUEL, F.LOZES-DUPUY, A.SENTENAC

PH, Fresnel

Revue Scientifique : Applied Physics Letters, Vol.92, N°13, pp.131112-1-131112-3, Avril 2008 , N° 08795

Diffusion restreinte

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Abstract

We present an experimental demonstration of a polarization quasi-independent narrow-band (less than 0.8 nm) filter operating under high oblique incidence. The structure is a resonant grating with a hexagonal lattice which has been carefully designed to ensure polarization quasi-independence of the narrow-band resonance peak over a wide angular range around 60° of incidence. A good agreement between experimental results and theoretical calculations is shown.

116960
08793
01/04/2008

Fabrication and optical characterisation of photonic crystal cavities in visible range

C.VION, J.M.FRIGERIO, A.MAITRE, O.GAUTHIER-LAFAYE, S.HERNANDEZ, S.BONNEFONT, F.LOZES-DUPUY

PH, INSP

Manifestation avec acte : SPIE Photonics Europe, Strasbourg (France), 7-11 Avril 2008, 1p. (Résumé) , N° 08793

Diffusion restreinte

116956
07654
21/01/2008

Effect of annealing conditions on photoluminescence properties of low-pressure chemical vapour deposition-grown silicon nanocrystals

K.KOUKOS, E.BEDEL-PEREIRA, O.GAUTHIER-LAFAYE, E.SCHEID, L.BOUSCAYROL, B.FRANC, P.ARGUEL, S.BONNEFONT, F.LOZES-DUPUY, G.SARRABAYROUSE

M2D, PH, TEAM, 2I

Revue Scientifique : Japanese Journal of Applied Physics, Vol.47, N°1, pp.130-132, Janvier 2008 , N° 07654

Diffusable

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Abstract

The photoluminescence properties of silicon nanocrystals in SiO2, prepared by low-pressure chemical vapour deposition and subsequent annealing have been studied. A comprehensive range of combinations of film compositions and annealing conditions were tested. The use of two-step annealing (a rapid annealing, followed by a conventional one) used instead of the common one-step conventional annealing, enhances emission. Annealing conditions are key to the photoluminescence and structural properties of the obtained film and have been investigated in detail. Film composition is also an important parameter, which allows tuning of the emission in a wide spectral range in the near infrared.

Mots-Clés / Keywords
LPCVD; Silicon nanocrystals; Photoluminescence; SiOx; Rapid Thermal Annealing (RTA);

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