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Impact of space environment on the physical parameters of semiconductor laser diodes
M.BOUTILLIER, O.GAUTHIER-LAFAYE, S.BONNEFONT, S.CONSTANT, O.LLOPIS, F.LOZES-DUPUY, O.GILARD
PH, MOST, CNES
Manifestation avec acte : EOS Topical Meeting on Photonic Devices in Space (TOM'5), Paris (France), 18-19 Octobre 2006, pp.80-81 , N° 06517
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108002Strong electron irradiation hardness of 852 nm Al-free laser diodes
M.BOUTILLIER, O.GAUTHIER-LAFAYE, S.BONNEFONT, F.LOZES-DUPUY, F.J.VERMERSCH, M.KRAKOWSKI, O.GILARD
PH, Thales Research, CNES, III-V Lab
Manifestation avec acte : 17th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF'2006) , Wuppertal (Allemagne), 3-6 Octobre 2006 , N° 06459
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107901Electron irradiation effects on Al-free laser diodes emitting at 852 nm
M.BOUTILLIER, O.GAUTHIER-LAFAYE, S.BONNEFONT, F.LOZES-DUPUY, L.LOMBEZ, D.LAGARDE, X.MARIE, F.J.VERMERSCH, M.CALLIGARO, M.LECOMTE, O.PARILLAUD, M.KRAKOWSKI, O.GILARD
PH, LNMO, III-V Lab, CNES
Manifestation avec acte : Radiation Effects on Components and Systems (RADECS'2006), Athènes (Grèce), 27-29 Septembre 2006, 5p. , N° 06516
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Plus d'informations
Abstract
852-nm emitting Al-free laser diodes and layers constituting the device are irradiated with 1-MeV electrons at fluences ranging from 10 $^{14}$ up to 10$^{16}$ ${rm e}^{-}$/cm$^{2}$. Layers corresponding to the laser diodes materials were characterised using photoluminescence and time resolved photoluminescence. Laser diodes L-I-V characteristics were measured in pulsed and continuous regime.
Mots-Clés / Keywords
Electron radiation effects; Optoelectronic devices; Semiconductor lasers;
Strong electron irradiation hardness of 852 nm Al-free laser diodes
M.BOUTILLIER, O.GAUTHIER-LAFAYE, S.BONNEFONT, F.LOZES-DUPUY, F.J.VERMERSCH, M.KRAKOWSKI, O.GILARD
PH, Thales Research, CNES, III-V Lab
Revue Scientifique : Microelectronics Reliability, Vol.46, N°9-11, pp.1715-1719, Septembre - Novembre 2006 , N° 06459
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107902Filtrage par multicouches nanostructurées
A.L.FEHREMBACH, A.SENTENAC, D.MAYSTRE, S.HERNANDEZ, O.GAUTHIER-LAFAYE, P.ARGUEL, S.BONNEFONT, F.LOZES-DUPUY
Fresnel, PH
Manifestation sans acte : 10èmes Journées de la Matière Condensée, 28 Août - 1er Septembre 2006 (Résumé) , N° 06656
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108007Laser diodes: emerging technologies and new materials
O.GAUTHIER-LAFAYE, S.BONNEFONT, M.BOUTILLIER, F.LOZES-DUPUY
PH
Conférence invitée : Papier invité. Workshop "Laser diodes in space", Toulouse (France), 11-12 Mai 2006 (Résumé) , N° 06620
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107834GaInAsN/GaAs and GaInAsN/InP lasers for high frequency operation
S.BONNEFONT, B.MESSANT, O.GAUTHIER-LAFAYE, F.LOZES-DUPUY, J.C.HARMAND, A.MARTINEZ, A.RAMDANE, F.ALEXANDRE, A.ACCARD, J.G.PROVOST, B.DAGENS, X.MARIE
PH, LPN, ALCATEL, ALCATEL, LNMO
Conférence invitée : IOP/SIOE GaInNAs one day meeting, Cardiff (GB), 10 Avril 2006 (Résumé) , N° 06032
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108005Impact d'irradiations aux électrons sur des diodes laser 852 nm sans aluminium
M.BOUTILLIER, S.CONSTANT, O.GAUTHIER-LAFAYE, S.BONNEFONT, O.LLOPIS, F.LOZES-DUPUY, O.GILARD
PH, MOST
Manifestations avec acte à diffusion limitée : 11èmes Journées Nano-Micro Electronique et Optoélectronique (JNMO), Aussois (France), 4-7 Avril 2006, pp.239-240 , N° 06170
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106461Diodes laser InGaAsN/GaAs à diaphragme d'oxyde émettant à 1,3 um pour les télécommunications optiques
B.MESSANT, S.BONNEFONT, O.GAUTHIER-LAFAYE, A.ARNOULT, L.JALABERT, P.DUBREUIL, F.LOZES-DUPUY
PH, TEAM
Manifestations avec acte à diffusion limitée : 11èmes Journées Nano-Micro Electronique et Optoélectronique (JNMO), Aussois (France), 4-7 Avril 2006, pp.237-238 , N° 06171
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106462Optimization and characterization of InGaAsN/GaAs quantum-well ridge laser diodes for high frequency operation
S.BONNEFONT, B.MESSANT, M.BOUTILLIER, O.GAUTHIER-LAFAYE, F.LOZES-DUPUY, A.MARTINEZ, V.SALLET, K.MERGHEM, L.FERLAZZO, J.C.HARMAND, A.RAMDANE, J.G.PROVOST, B.DAGENS, J.LANDREAU, O.LE GOUEZIGOU, X.MARIE
PH, LPN, OPTO, INSA-LPMC
Revue Scientifique : Optical and Quantum Electronics, Vol.38, N°4-6, pp.313-324, Mars 2006 , N° 06058
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