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Conception et réalisation de transistors bipolaires de puissance haute fréquence à hétérojonction sur AsGa

J.P.BAILBE, A.MARTY, T.CAMPS, J.TASSELLI, A.CAZARRE, H.GRANIER, L.ANDRIEUX

SIIIV

Rapport de Contrat : Contrat Région N°9007829, Avril 1994, 154p. , N° 94154

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GaAlAs/GaAs heterojunction bipolar transistors for microwave power applications

J.TASSELLI, A.MARTY, T.CAMPS, A.CAZARRE, H.GRANIER, L.ANDRIEUX, J.P.BAILBE

SIIIV

Manifestation avec acte : 1993 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS'93), Charlottesville (USA), 1-3 Décembre 1993, pp.779-782 , N° 93359

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Technology process for power AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors

J.TASSELLI, H.GRANIER, T.CAMPS, A.CAZARRE, L.ANDRIEUX, A.MARTY, J.P.BAILBE

SIIIV, TEAM, M2I

Manifestation avec acte : Heterostructure Technology Workshop, Villeneuve d'Ascq (France), 26-28 Septembre 1993 (Résumé) , N° 93446

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High frequency power AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors

T.CAMPS, J.TASSELLI, A.CAZARRE, A.MARTY, J.P.BAILBE, H.GRANIER, L.ANDRIEUX, J.P.ROUX

SIIIV, TEAM, CCM

Manifestation sans acte : WOCSDICE'93 Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, Parme (Italie), 31 Mai - 1er Juin 1993 (Résumé) , N° 93297

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Origin of the emitter excess resistance in GaAlAs/GaAs heterojunction bipolar transistors

T.CAMPS, A.MARTY, J.TASSELLI, A.CAZARRE, J.P.BAILBE

SIIIV, CB

Rapport LAAS N°92320, Septembre 1992, 22p.

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Origin of the excess emitter resistance in GaAlAs/GaAs heterojunction bipolar transistors

T.CAMPS, A.MARTY, J.TASSELLI, J.P.BAILBE, A.CAZARRE

SIIIV, CB

Rapport LAAS N°92319, Septembre 1992, 11p.

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Design, modeling and realization of high frequency power GaAlAs/GaAs heterojunction bipolar transistors

T.CAMPS, A.MARTY, J.TASSELLI, A.CAZARRE, J.P.BAILBE

SIIIV, CB

Manifestation avec acte : International Symposium on Signals, Systems and Electronics (ISSSE'92), Paris (France), 1-4 Septembre 1992, pp.759-762 , N° 92115

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High frequency power AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors

T.CAMPS, J.P.BAILBE, A.MARTY, J.TASSELLI, A.CAZARRE

SIIIV, CB

Revue Scientifique : Electronics Letters, Vol.28, N°15, pp.1444-1445, 16 Juillet 1992 , N° 92328

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Problèmes résolus de physique. Composants actifs à semiconducteurs

G.ABLART, A.CAZARRE, J.P.ULMET

EXT, CB

Ouvrage (auteur) : Dunod Université, N°ISBN 2-10-000340-2, 1991, 200p. , N° 91481

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Réalisation de circuits intégrés I2L à base de transistors bipolaires à double hétérojonction GaAlAs/GaAs

J.P.VANNEL, T.CAMPS, A.S.FERREIRA, J.TASSELLI, A.CAZARRE, A.MARTY, J.P.BAILBE

CB

Revue Scientifique : Journal de Physique III, N°4, pp.557-567, Avril 1991 , N° 90117

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