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Validation of HBT electrothermal modelling under RF operation
A.CAZARRE, L.ANDRIEUX, A.MARTY, T.CAMPS, M.FALEH, J.TASSELLI, J.P.BAILBE
M2I
Rapport LAAS N°97366, Septembre 1997, 8p.
Diffusable
22836Influence des phénomènes thermiques sur le comportement R.F. des TBH de puissance et optimisation
P.SOUVERAIN, A.CAZARRE, T.CAMPS, M.FALEH, J.TASSELLI, A.MARTY, J.P.BAILBE
M2I
Manifestations avec acte à diffusion limitée : 10èmes Journées Nationales Microondes (JNM'97), Saint-Malo (France), 21-23 Mai 1997, 2p. , N° 97221
Diffusable
20950Validation of HBT electrothermal modelling under RF operation
A.CAZARRE, L.ANDRIEUX, A.MARTY, T.CAMPS, M.FALEH, J.TASSELLI
M2I
Rapport LAAS N°97126, Avril 1997, 8p.
Diffusable
20207Performances en puissance de transistors bipolaires à hétérojonction GaAlAs/GaAs et GaInP/GaAs dans la bande 1-10 Ghz
A.CAZARRE, L.ANDRIEUX, M.FALEH, J.TASSELLI, A.MARTY, J.P.BAILBE
M2I
Manifestation sans acte : 6èmes Journées Nationales de Microélectronique et Optoélectronique III.V, Chantilly (France), 29-31 Janvier 1997, 2p. , N° 97046
Diffusable
19533Power amplifier performance and modelling of one-emitter-finger GaAlAs/GaAs heterojunction bipolar transistor
L.ANDRIEUX, A.CAZARRE, J.P.BAILBE, A.MARTY
M2I
Revue Scientifique : IEE Proceedings. Circuits Devices Systems, Vol.143, N°6, pp.352-356, Décembre 1996 , N° 94376
Diffusable
19594Conception et réalisation d'amplificateurs de puissance hyperfréquence à base de transistors bipolaires à hétérojonction sur arséniure de gallium
A.MARTY, L.ANDRIEUX, J.P.BAILBE, T.CAMPS, A.CAZARRE, M.FALEH, H.GRANIER, J.TASSELLI
M2I, TEAM
Rapport de Contrat : Contrat Région N°93.000.92, Mai 1996, 158p. , N° 96168
Diffusable
13913GaAlAs/GaAs and GaInP/GaAs HBT's for power applications
J.P.BAILBE, J.TASSELLI, L.ANDRIEUX, H.GRANIER, T.CAMPS, A.CAZARRE, A.MARTY, M.FALEH
SIIIV
Manifestation avec acte : 19th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE'95), Stockholm (Suède), 21-24 Mai 1995, 3p. , N° 95221
Diffusable
12012Theory and experiment of the temperature dependence of GaAlAs/GaAs HBT's characteristics for power amplification applications
J.P.BAILBE, L.ANDRIEUX, A.CAZARRE, T.CAMPS, A.MARTY, J.TASSELLI, H.GRANIER
SIIIV
Revue Scientifique : Solid State Electronics, Vol.38, N°2, pp.279-286, Février 1995 , N° 94089
Diffusable
9581Emitter excess resistance in GaAlAs/GaAs heterojunction bipolar transistors
T.CAMPS, A.MARTY, J.TASSELLI, A.CAZARRE, J.P.BAILBE
SIIIV
Revue Scientifique : Solid State Electronics, Vol.37, N°12, pp.1907-1911, 1994 , N° 93439
Diffusable
8895Conception et réalisation d'amplificateurs de puissance hyperfréquence à base de transistors bipolaires à hétérojonction sur arséniure de gallium
A.MARTY, L.ANDRIEUX, J.P.BAILBE, T.CAMPS, A.CAZARRE, M.FALEH, H.GRANIER, J.TASSELLI
SIIIV
Rapport de Contrat : Contrat Région N°9300092, Octobre 1994, 9p. , N° 94416
Diffusable
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