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Effect of surface preparation and PECVD deposition parameters on electrical properties of GaN-based MOS structures on Sapphire and silicon substrates

E.AL ALAM, I.CORTES, T.BEGOU, A.GOULLET, A.CAZARRE, F.MORANCHO, F.OLIVIE, Y.CORDIER, M.P.BESLAND, K.ISOIRD

IMB-CSIC, IMN-CNRS, Nantes, N2IS, CRN2, Sherbrooke, ISGE, MPN, CRHEA

Rapport LAAS N°12473, Septembre 2012, 2p.

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Effect of surface preparation and PECVD deposition parameters on electrical properties of MOS structures in GaN on Sapphire and Silicon substrates

E.AL ALAM, I.CORTES, T.BEGOU, A.GOULLET, A.CAZARRE, K.ISOIRD, Y.CORDIER, M.P.BESLAND, F.MORANCHO

ISGE, IMB-CSIC, IMN-CNRS, Nantes, N2IS, CRHEA

Rapport LAAS N°12270, Juin 2012, 3p.

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Effect of surface preparation and interfacial layer on the quality of GaN/SiO2 interfaces

E.AL ALAM, I.CORTES, M.P.BESLAND, A.GOULLET, L.LAJAUNIE, P.REGRENY, Y.CORDIER, J.BRAULT, A.CAZARRE, K.ISOIRD, G.SARRABAYROUSE, F.MORANCHO

ISGE, IMN-CNRS, Nantes, INL, CRHEA, N2IS, M2D

Revue Scientifique : Journal of Applied Physics, Vol.109, N°8, 084511p., Avril 2011 , N° 11330

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Conception de transistors MOS latéraux de puissance en nitrure de gallium

E.AL ALAM, F.MORANCHO, A.CAZARRE

N2IS, ISGE

Revues de Vulgarisation : Revue de l'Electricité et de l'Electronique (REE), N°6-7, pp.23-26, Juillet 2010 , N° 10024

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Comparison of GaN-based MOS structures with different interfacial layer treatments

E.AL ALAM, I.CORTES, M.P.BESLAND, P.REGRENY, A.GOULLET, F.MORANCHO, A.CAZARRE, Y.CORDIER, K.ISOIRD

ISGE, IMN-CNRS, Nantes, INL, N2IS, CRHEA

Manifestation avec acte : International Conference on Microelectronics (MIEL 2010), Nis (Serbie), 16-19 Mai 2010, pp.459-462 , N° 10163

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Préparation de surface GaN par procédé plasma: analyses par XPS

E.AL ALAM, T.BEGOU, A.GOULLET, A.CAZARRE, I.CORTES, F.OLIVIE, P.REGRENY, J.BRAULT, Y.CORDIER, F.MORANCHO, M.P.BESLAND

ISGE, IMN-CNRS, Nantes, N2IS, M2D, INL, CRHEA

Rapport LAAS N°10142, Mars 2010, 1p.

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Conception de transistors MOS latéraux de puissance en GaN

E.AL ALAM, F.MORANCHO, M.P.BESLAND, P.REGRENY, A.GOULLET, A.CAZARRE, I.CORTES

ISGE, IMN-CNRS, Nantes, INL, N2IS

Manifestation avec acte : Journées Surfaces et Interfaces (JSI 2010), Nantes (France), 27-29 Janvier 2010, 1p. , N° 10157

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Analysis of the C-V characteristics SiO2/GaN MOS capacitors

I.CORTES, E.AL ALAM, M.P.BESLAN, A.GOULLET, F.MORANCHO, A.CAZARRE, Y.CORDIER, K.ISOIRD

ISGE, IMN-CNRS, Nantes, CRHEA, N2IS

Manifestation avec acte : 7th Spanish Conference on Electron Devices (CDE 09), Santiago de Compostela (Espagne), 11-13 Février 2009, pp.279-280 , N° 08698

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Initiation au test des circuits numériques

D.DRAGOMIRESCU, R.DESPLATS, P.BOURDEAU D'AGUERRE, A.CAZARRE

MINC, CNES-THALES, Atelier Interuniv., MIS

Manifestation avec acte : 10èmes Journées Pédagogiques du CNFM, Saint Malo (France), 26-28 Novembre 2008, 6p. , N° 08673

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Introduction à la modélisation multiphysique de microsystèmes sur l'environnement COMSOL multiphysics

G.A.ARDILA RODRIGUEZ, G.ABLART, A.CAZARRE, C.ROSSI

N2IS, UPS

Manifestation avec acte : 10èmes Journées Pédagogiques du CNFM, Saint Malo (France), 26-28 Novembre 2008, 6p. , N° 08757

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