Laboratoire d’Analyse et d’Architecture des Systèmes
B.MARTY, T.CAMPS, A.MARTY, J.TASSELLI, D.LAGRANGE
N2IS, 2I
Manifestation avec acte : Journées Nationales du GDR MNS, Montpellier (France), 3-5 Décembre 2008, 2p. , N° 08750
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116254B.MARTY, T.CAMPS, A.MARTY, J.TASSELLI, L.BOUSCAYROL, J.C.MARROT
TEAM, MIS
Rapport LAAS N°08520, Octobre 2008, 2p.
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115213C.LEVALLOIS, V.BARDINAL, T.CAMPS, T.LEICHLE, E.DARAN, J.B.DOUCET, C.VERGNENEGRE
N2IS, TEAM, 2I, NBS, PH
Revue Scientifique : Proceedings of SPIE. Micro-Optics, VCSELs, and Photonic Interconnects II: Fabrication, Packaging, and Integration , Vol.9692, 6992-Wp., Octobre 2008 , N° 08174
Lien : http://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00489082/fr/
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V.BARDINAL, T.CAMPS, C.LEVALLOIS, T.LEICHLE, B.REIG, J.B.DOUCET, E.DARAN, C.VERGNENEGRE
PH, N2IS, INSA Rennes, NBS, TEAM, 2I
Manifestation avec acte : EOS Annual Meeting 2008, Paris (France), 29 Septembre - 2 Octobre 2008, 2p. , N° 08829
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117824E.HAVARD, V.BARDINAL, Y.KIHN, T.CAMPS, A.ROCHER, L.SALVAGNAC, C.ARMAND, C.FONTAINE
PH, CEMES/CNRS, TEAM, INSAT
Manifestation avec acte : EXMATEC 2008, Lodz (Pologne), 1-4 Juin 2008, 2p. , N° 08225
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114659B.MARTY, T.CAMPS, J.TASSELLI, A.MARTY, L.BOUSCAYROL, J.C.MARROT
MIS, TEAM
Rapport LAAS N°08210, Mai 2008, 2p.
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113695B.MARTY, T.CAMPS
N2IS
Manifestation avec acte : 11e Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique (JNRDM), Bordeaux (France), 14-16 Mai 2008, 4p. , N° 08751
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116256C.LEVALLOIS, V.BARDINAL, T.CAMPS, T.LEICHLE, E.DARAN, J.B.DOUCET, C.VERGNENEGRE
N2IS, TEAM, 2I, NBS, PH
Manifestation avec acte : SPIE Photonics Europe, Strasbourg (France), 7-11 Avril 2008, 8p. , N° 08174
Lien : http://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00489082/fr/
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E.HAVARD, T.CAMPS, V.BARDINAL, L.SALVAGNAC, C.ARMAND, C.FONTAINE, S.PINAUD
PH, N2IS, TEAM, INSAT
Revue Scientifique : Semiconductor Science and Technology, Vol.23, N°3, 035001p., Mars 2008 , N° 07748
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The effects of thermal annealing on optically transparent electrodes of ITO (indium tin oxide) contact deposited on p-type Be-doped GaAs have been investigated by means of the transfer length method and secondary ion mass spectroscopy measurements. This study shows that the temperature that minimizes the specific contact resistance of ITO/GaAs (500 °C) greatly differs from the temperature that leads to a maximum conductivity of the ITO layer (600 °C) and from the values reported on ITO/GaAs in the literature. The oxygen diffusion in the semiconductor layer and its interaction with the beryllium dopant is pointed out to explain these differences.
T.CAMPS, B.MARTY, J.TASSELLI, A.MARTY, L.BOUSCAYROL, J.C.MARROT
MIS, TEAM
Rapport LAAS N°08014, Janvier 2008, 11p.
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112732