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Polissage mécano-chimique et planarisatioin CDP 41
C.VILLENEUVE, T.DO CONTO, H.GRANIER
MINC, TEAM
Rapport LAAS N°10065, Février 2010
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120438Filling of very deep, wide trenches by BenzoCycloButene (BCB) polymer
H.MAHFOZ-KOTB, K.ISOIRD, F.MORANCHO, L.THEOLIER, T.DO CONTO
Assiut University, ISGE, Tours, TEAM
Revue Scientifique : Journal of Microsystem Technologies, Vol.15, N°9, pp.1395-1400, Septembre 2009 , N° 09462
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121494Etude de faisabilité d'une terminaison de jonction basée sur des tranchées profondes pour des composants haute tension (1200V)
H.E.DKOTB MAHFOZ, L.THEOLIER, F.MORANCHO, K.ISOIRD, P.DUBREUIL, T.DO CONTO
ISGE, TEAM
Manifestation avec acte : XIIème colloque Electronique de Puissance du Futur (EPF 2008), Tours (France), 2-3 Juillet 2008, 4p. , N° 08186
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Résumé
Nous présentons ici l'étude de la faisabilité d'une nouvelle terminaison de jonction utilisant une tranchée profonde de 70 um de large et de 100 um de profondeur remplie par un matériau diélectrique. Les simulations, avec Sentaurus TCAD, ont montré une tenue en tension supérieure à 1200 V pour cette terminaison. Le remplissage de la tranchée de terminaison par un diélectrique étant indispensable, nous avons donc étudié la possibilité d'utiliser un polyimide à faible constante diélectrique. Outre ses bonnes caractéristiques électriques, le BenzoCycloButene (BCB) a permis un bon remplissage des tranchées profondes. Enfin, nous avons étudié le polissage du BCB par la technique de polissage mécano-chimique (CMP) dans le but d'aplanir et éventuellement de supprimer l'excès de BCB sur la surface de la plaque. En utilisant une suspension de polissage d'un pH 2,5 (acide), nous avons obtenu une vitesse de gravure par polissage d'environ 0,24 um/min pour le BCB. L'état de surface du BCB après CMP présente une rugosité, Ra, de 1,04 nm mesurée par AFM.
Feasibility study of a junction termination using deep trench isolation technique for the realization of DT-SJMOSFETs
H.E.DKOTB MAHFOZ, L.THEOLIER, F.MORANCHO, K.ISOIRD, P.DUBREUIL, T.DO CONTO
ISGE, TEAM
Manifestation avec acte : 20th International Symposium on Power Semiconductor Devices (ISPSD '08) , Orlando (USA), 18-22 Mai 2008, pp.303-306 , N° 07667
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Abstract
In this work, a new design of high voltage (1200 Volts range) power SuperJunction MOSFET (SJMOSFET) is presented: the Deep Trench SJMOSFET (DT-SJMOSFET). Besides, a new junction termination, consisting in a 70 um width and 100 um depth trench filled by a dielectric, is proposed. Simulation results show that this junction termination exhibits the same blocking voltage capability as the base cell (central cell). In addition, the termination breakdown voltage dependence on the dielectric critical electric field (ECd) and its permittivity (¿rd) is studied. Finally, the possibility of filling the trench termination using low dielectric polyimide such as BenzoCycloButene (BCB) is successfully approved and the Chemical Mechanical Polishing of BCB is also discussed. These experimental results represent the key steps for a future complete fabrication process of DT-SJMOSFET.
Développements des microcapteurs chimiques ChemFETs pour les applications en hémodialyse
P.TEMPLE BOYER, W.SANT, M.L.POURCIEL, I.HUMENYUK, B.TORBIERO, A.MARTINEZ, T.DO CONTO, D.COLIN, J.B.DOUCET, B.ROUSSET, S.ASSIE-SOULEILLE, B.FRANC, D.LAGRANGE
TMN, TEAM, 2I
Rapport de Contrat : Contrat Région DAER recherche N° 03001210, Mars 2005, 14p. , N° 05152
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103462Development of a creatinine-sensitive sensor for medical analysis
W.SANT, M.L.POURCIEL, J.LAUNAY, T.DO CONTO, D.COLIN, A.MARTINEZ, P.TEMPLE BOYER
TEAM, TMN
Revue Scientifique : Sensors and Actuators B: Chemical, Vol.103, N°1-2, pp.260-264, 29 Septembre 2004 , N° 04130
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105568Development of a creatinine-sensitive based on chemical field effect transistors for medical analysis
W.SANT, M.L.POURCIEL, J.LAUNAY, T.DO CONTO, A.MARTINEZ, P.TEMPLE BOYER, A.MONTEIL-COSTES, P.MONTORIOL
TMN, TEAM, HEMODIA
Revue Scientifique : Sensors and Actuators B, Issues 1-2, Vol.103, pp.260-264, 29 Septembre 2004 , N° 03089
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102686Study of front-side connected chemical field effect transistors for water analysis
P.TEMPLE BOYER, J.LAUNAY, I.HUMENYUK, T.DO CONTO, A.MARTINEZ, C.BERIET, A.GRISEL
TEAM, MICROSENS, TMN
Revue Scientifique : Microelectronics Reliability, Vol.44, N°3, pp.443-447, Mars 2004 , N° 03270
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102036Développements des microcapteurs chimiques ChemFETs pour les applications à l'hémodialyse
P.TEMPLE BOYER, M.L.POURCIEL, W.SANT, V.CONEDERA, T.DO CONTO, B.ROUSSET, A.MARTINEZ
TMN, TEAM
Rapport de Contrat : Contrat Région DAER Recherche N°01008883, Novembre 2003, 12p. , N° 03503
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101468Development of chemical field effect transistors for the detection of urea
W.SANT, M.L.POURCIEL, J.LAUNAY, T.DO CONTO, A.MARTINEZ, P.TEMPLE BOYER
TEAM, TMN
Revue Scientifique : Sensors and Actuators B, Vol.B95, pp.309-314, 2003 , N° 02088
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101204