Publications personnelle

73documents trouvés

99302
27/09/1999

New technological advances for microshielded coplanar circuits on silicon

E.SAINT ETIENNE, G.BLASQUEZ, P.PONS, R.PLANA, C.DOUZIECH, P.FAVARO, P.MENINI, N.FABRE, J.GRAFFEUIL, T.PARRA, J.C.LALAURIE

CCM, TMN, TEAM, CNES

Manifestations avec acte à diffusion limitée : 10th Micromechanics Europe Workshop (MME'99), Gif-sur-Yvette (France), 27-28 Septembre 1999, pp.109-111 , N° 99302

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35113
99119
12/09/1999

Modelling of a capacitance-to-period converter dedicated to capacitive sensors

P.MENINI, P.DONDON, G.BLASQUEZ, P.PONS

TMN, IXL

Manifestation avec acte : 13th European Conference on Solid-State Transducers (EUROSENSORS XIII), La Haye (Pays-Bas), 12-15 Septembre 1999, pp.549-552 , N° 99119

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35058
99292
12/09/1999

Thermal drift and chip size in capacitive pressure sensors

G.BLASQUEZ, X.CHAUFFLEUR, P.PONS, C.DOUZIECH, P.FAVARO, P.MENINI

TMN

Manifestation avec acte : 13th European Conference on Solid-State Transducers (EUROSENSORS XIII), La Haye (Pays-Bas), 12-15 Septembre 1999, pp.461-464 , N° 99292

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35056
99037
05/09/1999

Optimization of a BiCMOS integrated tranducer for self-compensated capacitive pressure sensor

P.MENINI, G.BLASQUEZ, P.PONS, C.DOUZIECH, P.FAVARO, P.DONDON

TMN, IXL

Manifestation avec acte : 6th IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems (ICECS'99), Pafos (Chypre), 5-8 Septembre 1999, 15p. , N° 99037

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35054
99245
05/09/1999

Study of the thermal drift of the offset voltage of silicon pressure sensor

A.BOUKABACHE, G.BLASQUEZ, P.PONS, P.MENINI, Z.DIBI

Constantine, TMN, Batna

Manifestation avec acte : 6th IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems (ICECS'99), Pafos (Chypre), 5-8 Septembre 1999, 4p. , N° 99245

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35052
99038
17/06/1999

Oscillator synchronisation problem in a BiCMOS analog-digital integrated circuit dedicated to a capacitive pressure sensor

P.MENINI, P.PONS, C.DOUZIECH, P.FAVARO, G.BLASQUEZ, P.DONDON

TMN, IXL

Manifestations avec acte à diffusion limitée : 6th International Conference on Mixed Design of Integrated Circuits and Systems (MIXDES'99), Cracovie (Pologne), 17-19 Juin 1999, pp.223-228 , N° 99038

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33954
98423
13/09/1998

Thermal drifts due to thermomechanical deformations in capacitive pressure sensors

G.BLASQUEZ, X.CHAUFFLEUR, P.PONS, P.MENINI, P.FAVARO

M2I

Manifestation avec acte : EUROSENSORS XII, Southampton (GB), 13-16 Septembre 1998, Vol.1, pp.411-414 , N° 98423

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29936
98213
01/08/1998

A dedicated micromachining technology for high aspect-ratio millimetre-wave circuits

E.SAINT ETIENNE, P.PONS, G.BLASQUEZ, P.TEMPLE BOYER, V.CONEDERA, M.DILHAN, X.CHAUFFLEUR, P.MENINI, R.PLANA, T.PARRA, B.GUILLON, J.C.LALAURIE

CCM, M2I, TEAM, CNES

Revue Scientifique : Sensors and Actuators A, Vol.68, pp.435-441, 1998 , N° 98213

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28726
98045
11/02/1998

Faisabilité d'un capteur de pression capacitif miniature sur silicium

P.MENINI

M2I

Doctorat : Doctorat, Université Paul Sabatier, Toulouse, 11 Février 1998, N°2931, 250p., Président: Y.SALAMERO, Rapporteurs: JP.BLANC, Y.DANTO, Examinateur: P.DONDON, Directeur de thèse: G.BLASQUEZ , N° 98045

Lien : http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00132443

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Résumé

Le capteur de pression étudié résulte de l'assemblage hybride d'une cellule sensible capacitive en technologie Silicium/Pyrex et d'un convertisseur capacité/fréquence basé sur le principe de la charge et de la décharge d'une capacité à courant constant. La modélisation de la réponse de chacune des deux parties permet d'établir la fonction de transfert du capteur. La détermination précise des différents paramètres s'effectue à partir d'une approche mixte fondée sur la simulation numérique et sur la caractérisation expérimentale de la cellule et du circuit. L'étude des comportements d'un montage inverseur et d'une architecture ratiométrique montre la faisabilité d'un capteur dans lequel la nonlinéarité et les dérives thermiques s'autocompensent en grande partie. Dans une plage de fréquence de l'ordre de dix pour-cent de la fréquence à pression nulle, le démonstrateur de capteur présente une nonlinéarité inférieure à 1 % et une dérive thermique par degré Celsius égale à deux cents millièmes. La simulation numérique indique que pour optimiser les performances du capteur ratiométrique, il faut que les deux voies de référence et de mesure soient identiques. Cet optimum peut être quasiment atteint en intégrant sur un substrat commun de silicium les deux convertisseurs. Les essais expérimentaux révèlent également des phénomènes d'interférences entre les oscillateurs véhiculés au travers des capacités de recouvrement des transistors MOS. La minimisation de ce problème peut s'obtenir en ajoutant une capacité de découplage suffisamment grande entre les oscillateurs. L'ensemble de ces résultats obtenus permet de conclure que les principes et les technologies utilisées sont adéquats pour développer une nouvelle famille de capteurs de pression miniatures relativement précis (de l'ordre de 1 % de l'étendue de mesure), peu coûteux et facilement interfaçables avec des réseaux de communication numériques.

Abstract

The pressure sensor described here is an hybrid association of a capacitive sensing cell in Silicium/Pyrex technology, and a capacitance/frequency transducer based on the charge and the discharge of a capacitor with constant current. The modelling response of each part allows us to explicit the transfer function of the sensor. Accurate evaluation of different parameters is achieve by both numerical simulation and experimental characterisation of the sensing cell and the electronic circuit. Studies on a simple and a ratiometric architecture show the feasibility of pressure sensor which is able to mainly self-compensate nonlinearity and drifts. In the range of ten percent of the offset frequency, the demonstrator nonlinearity is less than one percent and its thermal coefficient is about twenty parts of million by Celsius degree. Numerical simulations show that to optimise ratiometric sensor performances, it is necessary to use identical ways of measuring both signals : the reference one and the measure one. These optimal performances can be obtained by integrating both converters on the same silicon substrate. Experimental results also point out several problems of interference between oscillators through grid-to-channel capacitances. One way to minimise these coupling effects is to add a decoupling capacitance. All the results obtained allow us to conclude that measurement principles and the associated technologies used are adequate to develop a new family of miniature pressure sensor which can be relatively accurate (about 1% of the full scale), cheap and easily connected with numeric communication networks.

Mots-Clés / Keywords
Capteur; Pression; Capacitif; Circuit de traitement; Convertisseur capacité/fréquence; Modélisation; Micro-électronique; Microsystèmes; Sensors; Pressure; Capacitive; Transducer; Capacitance/Frequency Converter; Modelling; Micro-electronic; Microsystems;

25496
96357
01/10/1996

Efficiency of a BiCMOS ratiometric circuit to self-compensate for nonlinearities and thermal drifts in capacitive pressure sensors

G.BLASQUEZ, P.PONS, P.MENINI, X.CHAUFFLEUR, P.DONDON, C.ZARDINI

M2I, IXL

Manifestation avec acte : 3rd France-Japan Congress & 1st Europe-Asia Congress on Mechatronics, Besançon (France), 1-3 Octobre 1996, pp.296-299 , N° 96357

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15851
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