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Low frequency noise behavior in GaN HEMT's on silicon substrate

L.BARY, E.ANGELI, A.RENNANE, G.SOUBERCAZE PUN, J.G.TARTARIN, A.MINKO, V.HOEL, Y.CORDIER, C.DUA, R.PLANA, J.GRAFFEUIL

2I, CISHT, TRT, CRHEA

Manifestation avec acte : Noise in Devices and Circuits (FN'04), Las Palmas (Espagne), 25-28 Mai 2004, 10p. , N° 04773

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Using low frequency noise characterization of AlGaN/GaN HEMT as a tool for technology assessment and failure prediction

J.G.TARTARIN, G.SOUBERCAZE PUN, A.RENNANE, L.BARY, R.PLANA, J.C.DE JAEGER, M.GERMAIN, S.DELAGE, J.GRAFFEUIL

CISHT, 2I, IEMN Villeneuve, IMEC, THALES Paris

Manifestation avec acte : Fluctuation and Noise, Las Palmas (Espagne), Mai 2004 , N° 04339

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Hydrogen induced degradation in GaInP/GaAs HBTs revealed by low frequency noise measurements

J.G.TARTARIN, L.ESCOTTE, M.BORGARINO, R.PLANA, J.GRAFFEUIL

CISHT, Modena

Manifestation avec acte : MRS Spring Meeting 2004, San Francisco (USA), 12-16 Avril 2004, 6p. , N° 04337

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Optimizing SiGe HBTs technology using small-signal and high frequency noise device's modeling

J.G.TARTARIN, G.CIBIEL, A.MONROY, V.LE GOASCOZ, J.GRAFFEUIL

CISHT, ST Microelectronics

Manifestation avec acte : MRS Spring Meeting 2004, San Francisco (USA), 12-16 Avril 2004, 6p. , N° 04338

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Caractérisation des propriétés en bruit basse fréquence des transistors à effet de champ de type HEMT à base d'hétérojonction AlGaN/GaN

A.RENNANE, L.BARY, E.ANGELI, J.G.TARTARIN, J.GRAFFEUIL, R.PLANA

CISHT, 2I

Manifestations avec acte à diffusion limitée : 7ème Journée Microondes et Electromagnetisme de Toulouse (JMET'2004), Toulouse (France), 25 Février 2004, 4p. , N° 04086

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Low frequency noise behaviour in AlGaN/GaN HEMT's

A.RENNANE, L.BARY, J.G.TARTARIN, Y.GUHEL, C.GAQUIERE, J.C.DE JAEGER, Z.BOUGRIOUA, S.DELAGE, J.GRAFFEUIL, R.PLANA

CISHT, 2I, IEMN Villeneuve, CRHEA, THALES Paris

Manifestations avec acte à diffusion limitée : 12th European Workshop on Heterostructure Technology (heTech'03), Segovie (Espagne), 12-15 Octobre 2003, 2p. , N° 03452

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X band BiCMOS SiGe 0.35um voltage controlled oscillator in parallel and reflection topology and external phase noise improvement solution

K. W.WONG, G.CIBIEL, J.G.TARTARIN, E.TOURNIER, R.PLANA, O.LLOPIS

CISHT

Manifestation avec acte : 2003 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium (RFIC'2003), Philadelphia (USA), 8-10 Juin 2003, pp.281-284 , N° 02557

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OCT à topologie parallèle et série fonctionnant en bande X en technologie BiCMOS SiGe 0,35um

K. W.WONG, G.CIBIEL, J.G.TARTARIN, E.TOURNIER, R.PLANA, O.LLOPIS

CISHT

Manifestations avec acte à diffusion limitée : 13èmes Journées Nationales Microondes (JNM'2003), Lille (France), 21-24 Mai 2003, 2p. , N° 02555

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Etude de bruit associe au courant de grille et de drain et tests de fiabilité préliminaires sur des transistors à effet de champ SiGe (MODFET)

A.RENNANE, L.BARY, J.KUCHENBECKER, J.L.ROUX, J.G.TARTARIN, L.ESCOTTE, J.GRAFFEUIL, R.PLANA

CISHT, 2I, CNES

Manifestations avec acte à diffusion limitée : 13èmes Journées Nationales Microondes (JNM'2003), Lille (France), 21-23 Mai 2003, 2p. , N° 03248

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Noise properties of SiGe based devices

A.RENNANE, L.BARY, G.NIU, J.D.CRESSLER, A.J.JOSEPH, J.G.TARTARIN, J.GRAFFEUIL, R.PLANA

2I, CISHT, Auburn, IBM Microelectronics

Manifestations avec acte à diffusion limitée : 3rd International Conference on SiGe(C) epitaxy and heterostructures (ICSI3), Santa Fe (USA), 9-12 Mars 2003, pp.41-43 , N° 03374

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