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X-band and D-band low-phase-noise VCOs using SiGe BiCMOS technology
J.G.TARTARIN, K. W.WONG
MOST, Singapore
Revue Scientifique : Semiconductor Science and Technology, Vol.22, N°1, pp.S195-S199, Janvier 2007 , N° 07016
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109121Robust gan electronics for highly reliable BF and RF analog systems in aerospace applications
G.SOUBERCAZE PUN, J.G.TARTARIN, L.BARY, J.RAYSSAC, S.DELAGE, J.GRAFFEUIL
MOST, 2I, TRT, TIGER
Manifestation avec acte : CANEUS 2006, Toulouse (France), 27 Août - 1er Septembre 2006, 7p. , N° 06474
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107581X-band and K-band low-phase-noise VCOs using SiGe BiCMOS technology
J.G.TARTARIN, K. W.WONG, E.TOURNIER, O.LLOPIS
MOST, Singapore
Manifestation avec acte : 3rd International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM'2006), Princeton (USA), 15-17 Mai 2006, 2p. , N° 06140
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107323Design of a X-band GaN oscillator: from the low frequency noise device characterization and large signal modeling to circuit design
G.SOUBERCAZE PUN, J.G.TARTARIN, L.BARY, J.RAYSSAC, E.MORVAN, B.GRIMBERT, S.L.DELAGE, J.C.DE JAEGER, J.GRAFFEUIL
2I, ALCATEL THALES III-V, IEMN Villeneuve, THOMSON CSF-LCR, MOST
Rapport LAAS N°06139, Mars 2006, 4p.
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Abstract
Although GaN technologies were initially developed for solid state source amplifiers, it was recently demonstrated that AlGaN/GaN HEMT transistors were also suitable for low noise applications such as LNA. The frequency synthesis is not yet widely explored for these technologies. In this paper the design of a low phase noise X-Band oscillator is proposed. The low frequency noise performance and the residual phase noise, as well as dynamic S-parameters were carried out on AlGaN/GaN HEMT grown on SiC. A large-signal modeling technique is also presented. The reduced complexity and the good accuracy of our large signal model permits an efficient circuit design, without intensive knowledge of the technological device parameters. These characterization and modeling tools are used for the design of an 1-stage oscillator working at 10 GHz delivering 20dBm.
Low frequency and linear high frequency noise performances of AlGaN/GaN grown on SiC substrate
J.G.TARTARIN, G.SOUBERCAZE PUN, L.BARY, C.CHAMBON, S.GRIBALDO, O.LLOPIS, L.ESCOTTE, R.PLANA, S.DELAGE, C.GAQUIERE, J.GRAFFEUIL
CISHT, 2I, TRT, IEMN Villeneuve
Manifestation avec acte : 13th Gallium Arsenide and other Compound Semiconductors Application Symposium (GaAs'2005), Paris (France), 3-4 Octobre 2005, pp.277-280 , N° 05371
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105190Low frequency noise of AlGaN/GaB HEMT grown on Al2O3Si and SiC substrates
J.G.TARTARIN, G.SOUBERCAZE PUN, A.RENNANE, L.BARY, S.DELAGE, R.PLANA, J.GRAFFEUIL
CISHT, 2I, TRT
Manifestation avec acte : 18th International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF'2005), Salamanque (Espagne), 19-23 Septembre 2005 , N° 05370
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104511Etude du bruit basse fréquence de transistors HEMT AlGaN/GaN sur substrats Al2O3, Si et SiC
G.SOUBERCAZE PUN, J.G.TARTARIN, L.BARY, A.RENNANE, S.DELAGE, R.PLANA, J.GRAFFEUIL
CISHT, 2I, THALES Paris
Manifestations avec acte à diffusion limitée : XIVe Journées Nationales Microondes (JNM'2005), Nantes (France), 11-13 Mai 2005, 4p. , N° 04731
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103603Carrier's transport mechanisms investigations in AlGaN/GaN HEMT thanks to physical modelling and low frequency noise measurements
G.SOUBERCAZE PUN, J.G.TARTARIN, L.BARY, S.DELAGE, R.PLANA, J.GRAFFEUIL
CISHT, 2I, THALES Paris
Manifestation avec acte : 12th Gallium Arsenide and other Compound Semiconductors Application Symposium (GAAS'2004), Amsterdam (Pays-Bas), 11-12 Octobre 2004, pp.159-162 , N° 04314
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102682Technique d'optimisation du bruit de phase d'OCT MMIC
J.G.TARTARIN, K. W.WONG
CISHT
Manifestations avec acte à diffusion limitée : Workshop "Bruit en régime linéaire et non-linéaire dans les composants et circuits de télécommunications", La Grande-Motte (France), 7-8 Juin 2004, 2p. , N° 04318
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102326Investigation du transport électronique dans les transistors "HEMT" AlGaN/GaN grâce à la modélisation physique et à la mesure de bruit basse fréquence
G.SOUBERCAZE PUN, J.G.TARTARIN, L.BARY, S.DELAGE, R.PLANA, J.GRAFFEUIL
2I, THALES Paris, CISHT
Manifestations avec acte à diffusion limitée : Workshop "Bruit en régime linéaire et non-linéaire dans les composants et circuits de télécommunications", La Grande-Motte (France), 7-8 Juin 2004, 2p. , N° 04319
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