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Vers une optimisation fonctionnelle des dispositifs à grande bade interdite GaN: exploitation du bruit basse et haute fréquence, et corrélation avec d'autres techniques de caractérisation
J.G.TARTARIN, S.KARBOYAN, S.NSELE, T.NOUTSA DJOKO, L.ESCOTTE, J.GRAFFEUIL, D.CARISETTI, S.PIOTROWICZ, B.LAMBERT
MOST, THALES R&T, ALCATEL THALES III-V, UMS
Manifestation avec acte : Journées de la Matière Condensée ( JMC ) 2012 du 27 août au 31 août 2012, Montpellier (France), Décembre 2012, 1p. , N° 12672
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128713Evidence of relationship between mechanical stress and leakage current in AlGaN/GaN transistor after storage test
B.LAMBERT, N.LABAT, D.CARISETTI, S.KARBOYAN, J.G.TARTARIN, J.THORPE, L.BRUNEL, A.CURUTCHET, N.MALBERT, E.ROMAIN-LATU, M.MERMOUX
UMS, IMS Bordeaux 1, THALES R&T, MOST, UMS, Ulm, SERMA Technologies, LEPMI
Manifestation avec acte : European Symposium on the Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF) 2012 du 01 octobre au 05 octobre 2012, Cagliari (Italie), 2012, 5p. , N° 12396
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128691Analysis and path localization of gate current in AlGaN/GaN HEMTs using low frequency noise measurements and optical beam induced resistance change technique
S.KARBOYAN, J.G.TARTARIN, D.CARISETTI, B.LAMBERT
MOST, THALES R&T, UMS
Rapport LAAS N°12707, Décembre 2012, 3p.
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128811Gate defects in AlGaN/GaN HEMTs revealed by low frequency noise and dynamic EMMI measurements
J.G.TARTARIN, S.KARBOYAN, D.CARISETTI, B.LAMBERT
MOST, THALES R&T, UMS
Rapport LAAS N°12708, Décembre 2012, 1p.
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128812Gate and drain low frequency noise of AlGaN/GaN HEMTs featuring high and low gate leakage currents
S.KARBOYAN, J.G.TARTARIN, N.LABAT, B.LAMBERT
MOST, IMS Bordeaux 1, UMS
Rapport LAAS N°12709, Décembre 2012, 1p.
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128813Analyse et localisation du courant de grille dans les HEMTs AlGaN/GaN par des mesures de bruit basse fréquence et par technique électro-optique OBIRCH
S.KARBOYAN, J.G.TARTARIN, D.CARISETTI, B.LAMBERT
THALES R&T, UMS, MOST
Rapport LAAS N°12710, Décembre 2012, 2p.
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128814Generation-recombination traps in AlGaN/GaN HEMT analyzed by time-domain and frequency-domain measurements: impact of HTRB stress on short term and long term memory effects
J.G.TARTARIN, G.ASTRE, S.KARBOYAN, T.NOUTSA DJOKO, B.LAMBERT
MOST, UMS
Rapport LAAS N°12711, Décembre 2012, 4p.
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128815Evidence of relationship between mechanical stress and leakage current in AlGaN/GaN transistor after storage test
B.LAMBERT, N.LABAT, D.CARISETTI, S.KARBOYAN, J.G.TARTARIN, J.THORPE, L.BRUNEL, A.CURUTCHET, N.MALBERT, E.ROMAIN-LATU, M.MERMOUX
UMS, IMS Bordeaux 1, THALES R&T, MOST, UMS, Ulm, SERMA Technologies, LEPMI
Revue Scientifique : Microelectronics Reliability, Vol.52, N°9-10, pp.2184-2187, Septembre 2012 , N° 12396
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128112I-DLTS, electrical lag and low frequency noise measurements of trapping effects in AlGaN/GaN HEMT for reliability studies
J.G.TARTARIN, S.KARBOYAN, F.OLIVIE, G.ASTRE, B.LAMBERT
MOST, M2D, UMS
Manifestation avec acte : European Microwave Week (EuMW 2011), Manchester (UK), 9-14 Octobre 2011, 4p. , N° 11545
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125540Electromagnetic analysis of an in-car complex channel of propagation by means of non invasive measurements and FDTD based EM simulations
J.G.TARTARIN, M.CHEIKH MHAND, J.DAVID, A.MORIN
Continental Auto., LAPLACE, MOST
Manifestation avec acte : Progress In Electromagnetics Research Symposium (PIERS 2011), Suzhou (Chine), 12-16 Septembre 2011, 5p. , N° 11133
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