Retour au site du LAAS-CNRS

Full electrical control of the electron spin relaxation in GaAs quantum wells

A.BALOCCHI, Q.H.DUONG, P.RENUCCI, B.L.LIU, C.FONTAINE, T.AMAND, D.LAGARDE, X.MARIE

Beijing, LPCNO, PHOTO

Revue Scientifique : Physical Review Letters, Vol.107, N°13, 136604p., Septembre 2011 , N° 11499

Diffusable

Ajouter au panier 125376

Observation of overstrain in the coalescence zone of AlAs/AlOx oxidation fronts

F.CHOUCHANE, G.ALMUNEAU, O.GAUTHIER-LAFAYE, A.MONMAYRANT, A.ARNOULT, G.LACOSTE, C.FONTAINE

TEAM, PH

Revue Scientifique : Applied Physics Letters, Vol.98, N°26, 261921p., Juin 2011 , N° 11163

Diffusable

Ajouter au panier 124961

2D PhC optimization for highly robust 2nd order DFB's

O.GAUTHIER-LAFAYE, A.MONMAYRANT, S.BONNEFONT, A.LARRUE, J.CAMPOS, A.ARNOULT, C.FONTAINE, F.LOZES-DUPUY

TEAM, PH

Conférence invitée : International Conference on Transparent Optical Networks (ICTON 2011), Stockholm (Suède), 26-30 Juin 2011, 3p. , N° 11411

Diffusion restreinte

Ajouter au panier 125088

Advances in buried oxide confinement engineering in AlxGa1-xAs/GaAs epitaxial structures

F.CHOUCHANE, J.B.DOUCET, A.ARNOULT, G.LACOSTE, C.FONTAINE, G.ALMUNEAU

PH, TEAM

Manifestation avec acte : International Symposium on Compound Semiconductors, Compound Semiconductor Week (CSW 2011), Berlin (Allemagne), 22-26 Mai 2011, 2p. , N° 11179

Diffusable

Ajouter au panier 125004

Quantum lifetimes and momentum relaxation of electrons and holes in Ga0.7In0.3N0.015As0.985/GaAs quantum wells

E.TIRAS, N.BALKAN, S.ARDALI, M.GUNES, C.FONTAINE, A.ARNOULT

Anadolu University, Essex, PH, TEAM

Revue Scientifique : Philisophical Magazine, Vol.91, N°4, pp.628-639, Février 2011 , N° 10694

Diffusable

Ajouter au panier 123074

High reflectivity monolithic sub-wavelength diffraction grating with GaAs/AlOx stack

G.ALMUNEAU, M.CONDE, O.GAUTHIER-LAFAYE, V.BARDINAL, C.FONTAINE

PH

Revue Scientifique : Journal of Optics, Vol.13, N°1, 015505p., Janvier 2011 , N° 10777

Non disponible

Ajouter au panier 123339

Reprise de croissance par épitaxie par jets moléculaires sur GaAs: planéité de surface et luminescence de puits GalnAs-GaAs épitaxiés à proximité de l'interface

C.FONTAINE, O.DESPLATS, G.LACOSTE, A.ARNOULT

PH, TEAM

Manifestation sans acte : Journées Nano Micro et Optoélectronique (JNMO 2010), Les Issambres (France), 28 Septembre - 1 Octobre 2010, 1p. (Résumé) , N° 10619

Diffusable

Ajouter au panier 122963

Contrôle fin du procédé d'oxydation de couches AlxGa1-xAs enterrés

F.CHOUCHANE, G.ALMUNEAU, O.GAUTHIER-LAFAYE, A.MONMAYRANT, A.ARNOULT, G.LACOSTE, C.FONTAINE

TEAM, PH

Manifestation sans acte : Journées Nano Micro et Optoélectronique (JNMO 2010), Les Issambres (France), 28 Septembre - 1 Octobre 2010, 1p. (Résumé) , N° 10653

Diffusable

Ajouter au panier 122964

Molecular beam regrowth of GaInAs-GaAs quantum wells on GaAs substrates

C.FONTAINE, O.DESPLATS, G.LACOSTE, A.ARNOULT

PH, TEAM

Manifestation avec acte : International Conference on Molecular Beam Epitaxy (BME 2010), Berlin (Allemagne), 22-27 Août 2010, 2p. , N° 10620

Diffusable

Ajouter au panier 122826

Management of the electrical injection uniformity in broad-area top-emitting VCSELs

T.CAMPS, V.BARDINAL, E.HAVARD, M.CONDE, C.FONTAINE, G.ALMUNEAU, L.SALVAGNAC, S.PINAUD, J.B.DOUCET

PH, TEAM, N2IS

Revue Scientifique : European Physical Journal D, Vol.59, N°1, pp.53-57, Juillet 2010 , N° 10079

Diffusable

Ajouter au panier 122433