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Analyse des interractions et techniques d'isolation applicables à une structure de protection contre les court-circuits intégrée
C.CARAMEL, P.AUSTIN, J.L.SANCHEZ, E.IMBERNON, B.ROUSSET
ISGE, TEAM
Manifestation avec acte : Electronique de Puissance du Futur (EFP 2006), Grenoble (France), 5-6 Juillet 2006, 4p. , N° 06242
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110243Characterization of dielectric-charging effects in PECVD nitrides for use in RF MEMS capacitive switches
M.LAMHAMDI, L.BOUDOU , J.GUASTAVINO, Y.SEGUI, P.PONS, B.ROUSSET, R.PLANA
M2D, MINC, LGET, TEAM
Manifestation avec acte : 7th International Conference on RF MEMS and RF Microsystems, Orvieto (Italie), 27-30 Juin 2006, 4p. , N° 06378
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107681Interaction analysis and insulation techniques for short-circuit integrated protection structure
C.CARAMEL, P.AUSTIN, J.L.SANCHEZ, E.IMBERNON, B.ROUSSET
ISGE, TEAM
Manifestation avec acte : 18th international Symposium on Power Semiconductor Devices and Integrated Circuits (ISPSD '06), Naples (Italie), 4-8 Juin 2006 , N° 06243
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110245Superficial photoluminescence and PV conversion of nanoscale Si-layered systems at 400 nm
Z.T.KUZNICKI, P.MEYRUEIS, G.SARRABAYROUSE, B.ROUSSET
lSP Illkirch, PHASE, M2D, TEAM
Manifestation avec acte : Photonics Europe, Strasbourg (France), 3-7 Avril 2006, pp.59-70 , N° 06217
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106787Filière technologique CMOS/LIGBT/bipolaires/LDMOS à isolation diélectrique enterrée localisée obtenue par la technique LEGO
H.GRANIER, I.BERTRAND, B.ROUSSET, M.BAFLEUR, J.M.DILHAC, L.BOUSCAYROL, C.GANIBAL, P.DUBREUIL
TEAM, ISGE, 2I
Rapport LAAS N°06187, Mars 2006, 84p.
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106337New lateral DMOS and IGBT structures realized on a partial SOI substrate based on LEGO process
I.BERTRAND, V.PATHIRANA, E.IMBERNON, F.UDREA, M.BAFLEUR, R.NG, H.GRANIER, B.ROUSSET, J.M.DILHAC
TMN, CAMBRIDGE, CIP, TEAM
Manifestation avec acte : 2005 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM'2005), Santa Barbara (USA), 10-11 Octobre 2005, pp.74-77 , N° 05217
Lien : http://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00385958/fr/
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Abstract
In this paper, we present new lateral DMOS and IGBT structures based on a partial SOI substrate. The partial SOI substrate, formed through LEGO recrystallization process improves considerably the breakdown capability and the thermal behavior of these devices compared to full SOI devices. Experimental results of high voltage power devices implemented on such a process are presented for the first time.
Non-linear optical functions of crystalline-Si resulting of nanoscale layered systems
Z.T.KUZNICKI, M.LEY, H.J.LEZEC, G.SARRABAYROUSE, B.ROUSSET, F.ROSSEL, H.MIGEON, T.WIRTZ
PHASE, BASEL, ISI ULP, TMN, TEAM, LAM, M2D
Manifestation avec acte : E-MRS 2005 Spring Meeting, Strasbourg (France), 31 Mai - 3 Juin 2005 (Résumé) , N° 05416
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Abstract
New non-linear optoelectronic and photovoltaic behavior of crystalline silicon (c-Si) has been obtained with a strained nanoscale Si-layered system. We have found c-Si absorptances that even exceed values of amorphous silicon (a-Si) thin films. The present investigation exploits charge carrier and photon flux transformations at the so-called carrier collection limit. A correlation between free carrier density and the absorption coefficient could be established by combining reflectivity and transmissivity measurements on samples having different surface free carrier reservoirs. In summary, Si modifications implemented on the nanoscale lead to new effects that can widen applications of conventional Si devices.
Mots-Clés / Keywords
Optoelectronics; Spectral response method; Electron hole plasma; Boltzmann factor; Crystalline-Si; Straight line rule;
Développements des microcapteurs chimiques ChemFETs pour les applications en hémodialyse
P.TEMPLE BOYER, W.SANT, M.L.POURCIEL, I.HUMENYUK, B.TORBIERO, A.MARTINEZ, T.DO CONTO, D.COLIN, J.B.DOUCET, B.ROUSSET, S.ASSIE-SOULEILLE, B.FRANC, D.LAGRANGE
TMN, TEAM, 2I
Rapport de Contrat : Contrat Région DAER recherche N° 03001210, Mars 2005, 14p. , N° 05152
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103462Rapport final d'avancement des travaux dans le cadre du laboratoire commun, Laboratoire Circuits Intégrés de Puissance SMARTMOS
M.BAFLEUR, A.CAZARRE, J.M.DILHAC, J.M.DORKEL, C.GANIBAL, H.GRANIER, K.ISOIRD, A.MARTY, N.MAURAN, F.MORANCHO, N.NOLHIER, B.ROUSSET, D.RAMIS, G.SARRABAYROUSE, E.SCHEID, P.TOUNSI, H.TRANDUC, L.ALLIRAND, F.BERGERET, L.BERTOLINI, J.L.CHAPTAL, A.DERAM, I.DERAM, E.HEMON, P.HUI, C.LOCHOT, B.LOPES, J.MARGHERITTA, B.PETERSON, P.RENAUD, J.M.REYNES, M.ZECRI, S.ALVES, I.BERTRAND, P.BESSE, A.FEYBESSE, J.P.LAINE, L.MONTAGNER-MORANCHO, O.PERAT, S.ROUX, C.SALAMERO, J.B.SAUVEPLANE, O.GONNARD
2I, TEAM, CIP, TMN, FREESCALE, LCIP2
Rapport de Contrat : Contrat LCIP N°1411684-00, Novembre 2004, 78p. , N° 04651
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103042Réalisation de murs P+ traversants pour des fonctions de puissance intégrées
E.IMBERNON, J.L.SANCHEZ, E.SCHEID, F.ROSSEL, M.BREIL, H.CARRIERE, P.DUBREUIL, B.ROUSSET, P.AUSTIN
CIP, TMN, TEAM
Manifestations avec acte à diffusion limitée : Seminario Annual de Automatica, Electronica Industrial e Instrumentacion. Electronique de Puissance du Futur (SAAEI-EPF'04), Toulouse (France), 15-17 Septembre 2004, 4p. , N° 04423
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