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Equipments and expertize for Micro/nano simulation, fabrication and characterization within the Sudoe Train2 project partners
H.GRANIER, M.DILHAN, V.CONEDERA, B.ROUSSET, F.CASANOVA, E.GARCIA, R.IBARRA, C.MAGEN, D.SERRATE, J.SESE, G.CEBALLOS, B.BALLESTEROS, N.KEHAGIAS, J.MARIA DE TERESA, P.ALGARABEL, A.SANCHEZ, J.BAUSELLS, M.DUTCH, M.ZABALA, S.SANCHEZ, P.FREITAS, S.CARDOSO DE FREITAS, D.PETROVYKH, S.FIGUEIRAS, E.SNOECK, A.GIANI
TEAM, CIC NanoGUNE, Zaragoza, ICN, CSIC, INESC, INL, Portugal, CEMES/CNRS, IES
Rapport de Contrat : Projet SUDOE/TRAIN2, Décembre 2012 , N° 12725
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128857Filtres spectraux de nouvelle génération très sélectifs en longueur d'onde travaillant dans le proche infrarouge
K.CHAN SHIN YU, P.ARGUEL, S.BONNEFONT, O.GAUTHIER-LAFAYE, F.LOZES-DUPUY, A.MONMAYRANT, A.BOUCHIER, L.BOUSCAYROL, B.ROUSSET, L.MAZENQ, V.CONEDERA, D.BELHARET, P.F.CALMON
2I, PH, TEAM
Rapport de Contrat : Rapport d'avancement contrat CNES N° 92629/00, Lot N°2-Evt N°2, Avril 2011, 14p. , N° 11215
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124532Properties of silicon thin films obtained by low-pressure chemical vapour deposition
P.TEMPLE BOYER, B.ROUSSET, E.SCHEID
TEAM, M2D
Revue Scientifique : Thin Solid Films, Vol.518, N°23, pp.6897-6903, Septembre 2010 , N° 09686
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122318Analysis of data obtained using the thermal step method on a MOS structure. An electrostatic approach
L.BOYER, O.FRUCHIER, P.NOTINGHER, S.AGNEL, A.TOUREILLE, B.ROUSSET, J.L.SANCHEZ
IES, TEAM, ISGE
Revue Scientifique : IEEE Transactions on Industry Applications, Vol.46, N°3, pp.1144-1150, Mai 2010 , N° 10538
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122482Rapport final du laboratoire commun LISPA
P.ALOISI, C.ALONSO, M.BAFLEUR, V.BOITIER, F.CAIGNET, P.DUBREUIL, B.ESTIBALS, E.IMBERNON, K.ISOIRD, H.E.DKOTB MAHFOZ, N.MAURAN, F.MORANCHO, N.NOLHIER, J.ROIG GUITART, B.ROUSSET, C.SALAMERO, J.L.SANCHEZ, E.SCHEID, H.TRANDUC, B.CHAUDRET, M.KHAN, A.MAISONNAT, C.ESTOURNES, J.L.CHAPTAL, A.DERAM, R.ESCOFFIER, U.MONIRAT, P.RENAUD, J.M.REYNES, J.SHEPHERD, E.STEFANOV, B.VRIGNON, L.CALVENTE, L.MARTINEZ, E.VIDAL, P.ARTILLAN, B.BERNOUX, A.GENDRON, N.LACRAMPE, L.SAINT-MACARY, J.B.SAUVEPLANE, A.SIMON
ISGE, TEAM, 2I, M2D, LCC, CIRIMAT, FREESCALE, TARRAGONE, FREESCALE USA
Rapport de Contrat : Laboraoire commun LISPA, Octobre 2008, 40p. , N° 08526
Non diffusable
115245Etude et optimisation de films minces de SiOxNy obtenus par dépôt chimique en phase vapeur LPCVD
C.MOLLIET, P.TEMPLE BOYER, E.SCHEID, B.ROUSSET, L.BOUSCAYROL
TEAM, M2D
Rapport LAAS N°08294, Juin 2008, 51p.
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114039Plasma-enhanced chemical vapor deposition of silicon oxynitride for micromachined millimeter-wave devices
M.SAADAOUI, D.PEYROU, H.ACHKAR, F.PENNEC, L.BOUSCAYROL, B.ROUSSET, P.TEMPLE BOYER, E.SCHEID, P.PONS, R.PLANA
M2D, MINC, TEAM
Revue Scientifique : Journal of Micromechanics and Microengineering, Vol.18, N°3, 035032p., Mars 2008 , N° 08861
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118622Analyse des interactions et techniques d'isolation applicables à une structure de protection intégrée contre les courts-circuits
C.CARAMEL, P.AUSTIN, J.L.SANCHEZ, E.IMBERNON, B.ROUSSET
ISGE, TEAM
Revue Scientifique : Revue Internationale de Génie Électrique (RIGE), Vol.10, N°5, pp.541-551, Octobre 2007 , N° 07224
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Résumé
Une des voies actuelles d'amélioration des composants de puissance est l'intégration de structures de protection (Robb et al., 1994 ; Seki et al., 1994). Nous avons précédemment étudié une structure de protection des IGBT contre les courts-circuits. Cette structure a été étudiée en détail et optimisée en vue de sa réalisation dans un process conventionnel d'IGBT (Caramel et al., 2006). L'intégration de structures de protections sur le même substrat que le composant de puissance à protéger soulève le problème d'isolation entre les parties haute et basse tension. Nous verrons que dans notre application, l'isolation des composants basse tension entre eux est aussi nécessaire. Pour palier à ce problème, nous proposons trois techniques d'isolation compatibles avec un process d'IGBT classique. Nous avons réalisé des simulations 2D pour mettre en exergue la nécessité d'isolation et pour comparer l'efficacité des différentes techniques d'isolation.
Mots-Clés / Keywords
IGBT; Protection intégrée; Intégration fonctionnelle; Courts-circuits; Isolation; capteur de tension d'anode;
Rapport intermédiaire du laboratoire commun LISPA
P.ALOISI, C.ALONSO, M.BAFLEUR, V.BOITIER, F.CAIGNET, P.DUBREUIL, B.ESTIBALS, E.IMBERNON, K.ISOIRD, H.E.DKOTB MAHFOZ, N.MAURAN, F.MORANCHO, N.NOLHIER, J.ROIG GUITART, B.ROUSSET, C.SALAMERO, J.L.SANCHEZ, E.SCHEID, H.TRANDUC, B.CHAUDRET, M.KHAN, A.MAISONNAT, C.ESTOURNES, J.L.CHAPTAL, A.DERAM, R.ESCOFFIER, U.MONIRAT, P.RENAUD, J.M.REYNES, E.STEFANOV, B.VRIGNON, J.CALVENTE
ISGE, TEAM, 2I, M2D, LCC, CIRIMAT, FREESCALE, DEEEA
Rapport de Contrat : Laboratoire Commun LISPA, Mai 2007, 20p. , N° 07273
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110604Non-linear optical functions of crystalline-Si resulting of nanoscale layered systems
Z.T.KUZNICKI, M.LEY, H.J.LEZEC, G.SARRABAYROUSE, B.ROUSSET, F.ROSSEL, H.MIGEON, T.WIRTZ
PHASE, BASEL, ISI ULP, TMN, TEAM, LAM, M2D
Revue Scientifique : Materials Science & Engineering C, Vol.26, N°5-7, pp.961-965, Juillet 2006 , N° 05416
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Abstract
New non-linear optoelectronic and photovoltaic behavior of crystalline silicon (c-Si) has been obtained with a strained nanoscale Si-layered system. We have found c-Si absorptances that even exceed values of amorphous silicon (a-Si) thin films. The present investigation exploits charge carrier and photon flux transformations at the so-called carrier collection limit. A correlation between free carrier density and the absorption coefficient could be established by combining reflectivity and transmissivity measurements on samples having different surface free carrier reservoirs. In summary, Si modifications implemented on the nanoscale lead to new effects that can widen applications of conventional Si devices.
Mots-Clés / Keywords
Optoelectronics; Spectral response method; Electron hole plasma; Boltzmann factor; Crystalline-Si; Straight line rule;