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Relation between thermal evolution of interstitial defects and transient enhanced diffusion in silicon
A.CLAVERIE, F.CRISTIANO, B.COLOMBEAU, X.HEBRAS, P.CALVO, N.CHERKASHIN, Y.LAMRANI, E.SCHEID, B.DE MAUDUIT, E.LAMPIN
CEMES/CNRS, TMN, Surrey, IEMN Villeneuve
Conférence invitée : Invited paper. 203rd Meeting of the Electrochemical Society (ECS'2003), Paris (France), 27 Avril - 2 Mai 2003, pp.73-82 , N° 03590
Diffusable
101657Realization of vertical P+ walls through-wafer for bidirectional current and voltage power integrated devices
J.L.SANCHEZ, E.SCHEID, P.AUSTIN, M.BREIL, H.CARRIERE, P.DUBREUIL, E.IMBERNON, F.ROSSEL, B.ROUSSET
CIP, TMN, TEAM
Manifestation avec acte : 2003 IEEE 15th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD'03), Cambridge (GB), 14-17 Avril 2003, pp.195-198 , N° 03085
Diffusable
100703Intégration fonctionnelle et opérationnelle
J.L.SANCHEZ, E.IMBERNON, P.AUSTIN, M.BREIL, P.DUBREUIL, F.ROSSEL, B.ROUSSET, E.SCHEID
CIP, TEAM, TMN
Rapport de Contrat : Contrat GIRCEP GDR N°004, Octobre 2002, 57p. , N° 02442
Diffusion restreinte
100092Thermal evolution of interstitial defects in implanted silicon
A.CLAVERIE, F.CRISTIANO, B.COLOMBEAU, E.SCHEID, B.DE MAUDUIT
CEMES/CNRS, TMN
Conférence invitée : Invited paper. 14th International Conference on Ion Implantation Technology (IIT'2002), Taos (USA), 23-27 Septembre 2002, pp.538-543 , N° 02409
Diffusable
100033Characterization method of thermomechanical parameters for microelectronic materials
O.PERAT, J.M.DORKEL, E.SCHEID, P.TEMPLE BOYER, Y.CHUNG, A.PEYRE LAVIGNE, M.ZECRI, P.TOUNSI
CIP, TMN, MOTOROLA USA, MOTOROLA TOULOUSE
Revue Scientifique : Microelectronics Reliability, Vol.42, N°7, pp.1053-1058, Juillet 2002 , N° 02371
Diffusable
53660Properties of nitrogen doped silicon films deposited by LPCVD from disilane and ammonia
P.TEMPLE BOYER, L.JALABERT, E.COUDERC, E.SCHEID, P.FADEL, B.ROUSSET
TMN, TEAM
Revue Scientifique : Thin Solid Films, Vol.414, N°1, pp.13-17, Juillet 2002 , N° 01308
Diffusable
105386Design of microsystems devoted to the determination of young s mudulus and coefficient of thermal expansion of material
O.PERAT, J.M.DORKEL, E.SCHEID, P.TEMPLE BOYER, P.TOUNSI, Y.CHUNG, M.ZECRI, A.PEYRE LAVIGNE
CIP, TMN, MOTOROLA USA, MOTOROLA TOULOUSE
Manifestations avec acte à diffusion limitée : 9th International Conference on Mixed Design of Integrated Circuits and Systems (MIXDES'2002), Wroclaw (Pologne), 20-22 Juin 2002, 4p. , N° 02370
Diffusable
53656Boron diffusion and activation during heat treatment in heavy doped polysilicon thin films for P+ Metal-Oxide-Semiconductor transistors gates
R.MAHAMDI, F.MANSOUR, E.SCHEID, P.TEMPLE BOYER, L.JALABERT
Constantine, TMN
Revue Scientifique : Japanese Journal of Applied Physics, Part 1, Vol.40, N°12, pp.6723-6727, Décembre 2001 , N° 00502
Diffusable
51143Achievement of a new peripheral planar structure supporting a symmetrical blocking voltage
O.CAUSSE, P.AUSTIN, J.L.SANCHEZ, G.BONNET, E.SCHEID
CIP, TMN
Manifestation avec acte : 9th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'2001), Graz (Autriche), 27-29 Septembre 2001, 9p. , N° 01490
Diffusable
48573Pour une automobile plus sure et plus fiable. Fiabilité prédictive des assemblages mécatroniques. Diagnostic automobile
J.M.DORKEL, A.ESTEVE, A.MARTY, O.PERAT, E.SCHEID, P.TOUNSI, J.P.FRADIN, X.CHAUFFLEUR, M.ZECRI, A.FEYBESSE, I.DERAM, P.DUPUY, A.PEYRE LAVIGNE, L.TRAVE-MASSUYES, X.OLIVE, D.ESTEVE, H.POULARD
CIP, MIS, TMN, EPSILON, MOTOROLA TOULOUSE, DISCO, ACTIA
Rapport de Contrat : Contrat Région Midi-Pyrénées N° DAER-Recherche/99008749, Septembre 2001, 60p. , N° 01411
Diffusion restreinte
47581