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Development of integrated smart nose based on WO3 gas sensors
H.CHALABI, P.MENINI, E.SCHEID, L.SALVAGNAC, V.CONEDERA, K.AGUIR
M2D, TEAM, L2MP
Manifestation avec acte : 20th Eurosensors Conférence Anniversary, Goteborg (Suède), 17-20 Septembre 2006, 4p. , N° 06672
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108050Experimental study of polysilicon thin films co-doped with boron-nitrogen
R.MAHAMDI, F.MANSOUR, H.BOURIDAH, P.TEMPLE BOYER, E.SCHEID
JIJEL, Constantine, M2D
Manifestations avec acte à diffusion limitée : 5ème Colloque International des Sciences des Matériaux (CSM'5), Beyrouth (Liban), 17-19 Mai 2006, 4p. , N° 06463
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107202Investigation of born diffusion in thin Bi-layers films polycrystalline silicon/amorphous silicon
R.MAHAMDI, F.MANSOUR, H.KARBOUA, P.TEMPLE BOYER, E.SCHEID
Constantine, M2D
Manifestation sans acte : 8th International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies (EXMATEC'06), Cadix (Espagne), 15-17 Mai 2006 (Résumé) , N° 06830
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108687Development of fabrication techniques for high-density integrated MIM capacitors in power conversion equipment
M.BRUNET, P.DUBREUIL, E.SCHEID, J.L.SANCHEZ
ISGE, TEAM, M2D
Manifestation avec acte : 12th annual symposium on "MOEMS-MEMS 2006, San Jose (USA), 21-26 Janvier 2006, 10p. , N° 06044
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106357Thermal analysis of RF-MEMS switches for power handling front-end
F.COCCETTI, B.DUCAROUGE, E.SCHEID, D.DUBUC, K.GRENIER, R.PLANA
TMN, CISHT
Manifestation avec acte : 13th Gallium Arsenide and other Compound Semiconductors Application Symposium (GaAs'2005), Paris (France), 3-4 Octobre 2005, pp.513-516 , N° 05713
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105611Nanosensoflex. Final report
P.MENINI, E.SCHEID, F.PARRET, H.CHALABI, C.TROPIS, A.MARTINEZ
TMN
Rapport de Contrat : Contrat Nanosensoflex GSRD CT 2002 00722, Septembre 2005, 30p. , N° 05518
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104574Analyse thermique expérimentale de MEMS-RF de puissance
F.COCCETTI, B.DUCAROUGE, E.SCHEID, D.DUBUC, K.GRENIER, R.PLANA
CISHT, TMN
Manifestations avec acte à diffusion limitée : XIVe Journées Nationales Microondes (JNM'2005), Nantes (France), 11-13 Mai 2005, 4p. , N° 05246
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103682Reduction of gate depletion by the introduction of in situ boron doped polysilicon as gate electrode material
E.JORDANA, G.SARRABAYROUSE, E.SCHEID, F.OLIVIE
TMN
Rapport LAAS N°05158, Avril 2005, 12p.
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103488Low loss waveguides containing Si nanocrystals embedded in SiO2
P.PELLEGRINO, B.GARRIDO, C.GARCIA, J.ARBIOL, J.R.MORANTE, M.MELCHIORRI, N.DALDOSSO, F.RIBOLI, D.NAVARRO, F.SBRANA, L.PAVESI, E.SCHEID, G.SARRABAYROUSE
TMN, LEME, Trento
Revue Scientifique : Journal of Applied Physics, Vol.97, N°7, p.074312, Avril 2005 , N° 04360
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104026Effect of nitrogen on the diffusion and the activation of the boron implanted in polysilicon thin layers
R.MAHAMDI, F.MANSOUR, P.TEMPLE BOYER, E.SCHEID
TMN, Constantine
Manifestation avec acte : 16th International Conference on Microelectronics 'ICM'04), Tunis (Tunisie), 6-8 Décembre 2004, 4p. , N° 04793
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