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Numerical and experimental results correlation concerning power MOSFETs ageing

T.AZOUI, P.TOUNSI, P.DUPUY, J.M.DORKEL, E.MARCAULT

ISGE, FREESCALE

Manifestation avec acte : Thermal, Mechanical and Multi-Physics Simulation and Experiments in Microelectronics and Microsystems (EuroSimE 2012), Lisbonne (Portugal), 16-18 Avril 2012, 4p. , N° 12191

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VDMOS Ron as a mechanical state indicator for device failure anticipation

E.MARCAULT, M.BREIL, A.BOURENNANE, P.TOUNSI, J.M.DORKEL

ISGE

Revue Scientifique : Microelectronics Reliability, Vol.52, N°3, pp.489-496, Mars 2012 , N° 11139

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Interest of surface treatment at gate oxyde level for power MOSFETs quality and reliability

E.POMES, J.M.REYNES, P.TOUNSI, J.M.DORKEL

ISGE, FREESCALE

Manifestation avec acte : International Conference on Microelectronics (ICM 2011), Hammamet (Tunisie), 19-22 Décembre 2011, 6p. , N° 11568

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Electro-thermal delamination analysis of power MOSFET under short circuit condition

T.AZOUI, P.TOUNSI, J.M.DORKEL, P.DUPUY, L.GUILLOT

ISGE, FREESCALE

Rapport LAAS N°11590, Novembre 2011, 3p.

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3D electro-thermal modelling of bonding and metallization ageing effects for reliability improvement of power MOSFETs

T.AZOUI, P.TOUNSI, P.DUPUY, L.GUILLOT, J.M.DORKEL

ISGE, FREESCALE

Manifestation avec acte : European Symposium Reliability of Electron Devices Failure Physics and Analysis (ESREF 2011), Bordeaux (France), 3-7 Octobre 2011, 5p. , N° 11204

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3D electro-thermal modelling of bonding and metallization ageing effects for reliability improvement of power MOSFETs

T.AZOUI, P.TOUNSI, P.DUPUY, L.GUILLOT, J.M.DORKEL

ISGE, FREESCALE

Revue Scientifique : Microelectronics Reliability, Vol.51, N°9-11, pp.1945-1947, Octobre 2011 , N° 11204

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MOSFETs quality and robustness enhancement with a new QBD characterization performed at probe-die-wafer level

E.POMES, J.M.REYNES, P.TOUNSI, J.M.DORKEL

ISGE, FREESCALE

Manifestation avec acte : Microtechnology and Thermal Problems in Electronics (MICROTHERM 2011), Lodz (Pologne), 28 Juin - 1 Juillet 2011, 6p. , N° 11245

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Studies on the error generated by dynamic compact thermal model

T.AZOUI, P.TOUNSI, J.M.DORKEL

ISGE

Manifestation avec acte : Microtechnology and Thermal Problems in Electronics (MICROTHERM 2011), Lodz (Pologne), 28 Juin - 1 Juillet 2011, 7p. , N° 11572

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Effect of pre-gate and post-gate oxide surface cleanings on power MOSFETs reliability

E.POMES, J.M.REYNES, P.MANY, D.VAUGHAN, P.TOUNSI, J.M.DORKEL

ISGE, FREESCALE, Freescale, Austin

Rapport LAAS N°11317, Juin 2011, 4p.

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Modèle thermique compact dynamique pour la simulation électrothermique d'un composant de puissance pour application automobile

T.AZOUI, P.TOUNSI, J.M.DORKEL, P.DUPUY

FREESCALE, ISGE

Manifestation sans acte : Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique (JNRDM 2011), Paris (France), 23-25 Mai 2011, 4p. , N° 11492

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