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Some results on a digital, adaptive, RF power amplifier linearizer based on the passivity theory
A.CESARI, G.MONTORO, A.ZOZAYA, J.M.DILHAC, E.BERTRAN
ISGE, UPC, Carabobo
Manifestation avec acte : IEE Seminar-High efficiency power amplifier design for next generation wireless applications, Cambridge (GB), 23 Mai 2006, 6p. , N° 06486
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107367Conception et implémentation d'un émetteur RF avec fonction de linéarisation numérique et amélioration du rendement de l'amplificateur de puissance
A.CESARI, J.M.DILHAC
ISGE
Manifestations avec acte à diffusion limitée : 9èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral de Microélectronique (JNRDM'2006), Rennes (France), 10-12 Mai 2006, 4p. , N° 06543
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107650Large area recrystallization of thick poly-silicon films for low cost partial SOI power devices
I.BERTRAND, P.RENAUD, J.M.DILHAC, C.GANIBAL
TMN, FREESCALE, CIP, 2I, ISGE, M2D
Revue Scientifique : Microelectronics Journal, Vol.37, N°3, pp.257-261, Mars 2006 , N° 04054
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105985Filière technologique CMOS/LIGBT/bipolaires/LDMOS à isolation diélectrique enterrée localisée obtenue par la technique LEGO
H.GRANIER, I.BERTRAND, B.ROUSSET, M.BAFLEUR, J.M.DILHAC, L.BOUSCAYROL, C.GANIBAL, P.DUBREUIL
TEAM, ISGE, 2I
Rapport LAAS N°06187, Mars 2006, 84p.
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106337The early definitions of the concept of telecommunications
J.M.DILHAC
ISGE
Revue Scientifique : The Journal of the Communications Network, Vol.5, N°I, pp.1-4, Janvier-Mars 2006 , N° 06092
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105903The early diffusion in sciences and technologies of the concept of télécommunications
J.M.DILHAC
CIP
Manifestation avec acte : International Conference on Cross-Connexions: Communications, Society & Change, Londres (GB), 11-13 Novembre 2005 (Résumé) , N° 05189
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105487New lateral DMOS and IGBT structures realized on a partial SOI substrate based on LEGO process
I.BERTRAND, V.PATHIRANA, E.IMBERNON, F.UDREA, M.BAFLEUR, R.NG, H.GRANIER, B.ROUSSET, J.M.DILHAC
TMN, CAMBRIDGE, CIP, TEAM
Manifestation avec acte : 2005 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM'2005), Santa Barbara (USA), 10-11 Octobre 2005, pp.74-77 , N° 05217
Lien : http://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00385958/fr/
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Abstract
In this paper, we present new lateral DMOS and IGBT structures based on a partial SOI substrate. The partial SOI substrate, formed through LEGO recrystallization process improves considerably the breakdown capability and the thermal behavior of these devices compared to full SOI devices. Experimental results of high voltage power devices implemented on such a process are presented for the first time.
Percolation of information across a defective microdevice network
J.M.DILHAC, J.H.COLLET, P.ZAJAC
CIP, TSF
Rapport LAAS N°05435, Septembre 2005, 4p.
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104329Implementation issues of a test bench of digital adaptive linearisers for RF power amplifiers
A.CESARI, J.M.DILHAC
CIP
Manifestation avec acte : International Conference "Radia communication time" (SPb-IEEE Con'05), Saint Petersburg (Russie), 18-21 Mai 2005, pp.124-125 , N° 05170
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103628Edouard Estaunié : the man who coined the term telecommunications
J.M.DILHAC
CIP
Manifestation avec acte : International Conference "Radia communication time" (SPb-IEEE Con'05), Saint Petersburg (Russie), 18-21 Mai 2005, pp.84-86 , N° 05169
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