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Recristallisation du silicium pour l'isolation diélectrique de circuits intégrés
J.M.DILHAC, M.BAFLEUR, S.ROUX, C.GANIBAL
CIP, 2I
Rapport de Contrat : Subvention Région Midi-Pyrénées N°RECH/947507, Juin 1998, 19p. , N° 98280
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28275Recristallisation du silicium pour l'isolation diélectrique de circuits intégrés de puissance haute tension
J.M.DILHAC, L.CORNIBERT, C.GANIBAL, M.BAFLEUR, C.LANCELLE
CIP, 2I
Rapport de Contrat : Subvention Région Midi-Pyrénées N°RECH/9307937, Décembre 1997, 15p. , N° 97476
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23689Physical modelling of Shokley diodes used on 2/10 usec surge circuits
G.CHARITAT, J.M.DILHAC, P.LETURCQ, E.BERNIER, R.PEZZANI
CIP, SGS Thomson
Manifestation avec acte : 1997 International Semiconductor Conference (CAS'97), Sinaia (Roumanie), 7-11 Octobre 1997, pp.113-118 , N° 97391
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22735Use of rapid thermal processing for isolation and interconnect technologies applied to smart power
J.M.DILHAC, L.CORNIBERT, G.CHARITAT, M.BAFLEUR, N.NOLHIER, D.ZERROUK, C.GANIBAL
CIP, 2I
Manifestation avec acte : 7th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'97), Trondheim (Norvège), 8-10 Septembre 1997, pp.3.009-3.014 , N° 97162
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22465Thick SOI films by rapid thermal processing for high voltage integrated circuits
J.M.DILHAC, L.CORNIBERT, G.CHARITAT, N.NOLHIER, D.ZERROUK, C.GANIBAL
CIP, 2I
Manifestation avec acte : 8th International Symposium on Silicon-On-Insulator Technology and Devices, Paris (France), 31Août - 5 Septembre 1997, pp.245-250 , N° 97163
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22411Intégration fonctionnelle de la fonction diode rapide
C.FURIO, G.CHARITAT, A.LHORTE, J.M.DILHAC
CIP, SGS Thomson
Revue Scientifique : Revue d'Electricité et de l'Electronique, N°4, pp.38-42, Avril 1997 , N° 96440
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20495Deep diffusions and SOI layers produced by rapid thermal processing for smart power applications
J.M.DILHAC, L.CORNIBERT, C.GANIBAL
CIP, 2I
Manifestation avec acte : 1997 Materials Research Society Spring Meeting, San-Francisco (USA), 31 Mars - 4 Avril 1997, 6p. , N° 97101
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20017Intégration fonctionnelle de la fonction diode rapide
C.FURIO, G.CHARITAT, A.LHORTE, J.M.DILHAC
CIP, SGS Thomson
Manifestation avec acte : 6ème Colloque National "Electronique de Puissance du Futur" (EPF'96), Grenoble (France), 16-18 Décembre 1996, pp.85-89 , N° 96440
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17263Recristallisation du silicium pour l'isolation diélectrique de circuits intégrés
J.M.DILHAC, M.BAFLEUR, D.ZERROUK, C.GANIBAL
CIP, 2I
Rapport de Contrat : Contrat Région Midi-Pyrénées N°RECH/9407507, Juin 1996, 12p. , N° 96227
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14170Fabrication of SOI structures by uniform zone melting recrystallization for high voltage IC's
J.M.DILHAC, D.ZERROUK, C.GANIBAL, P.ROSSEL, M.BAFLEUR
CIP, 2I
Manifestation avec acte : 8th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's, Maui (USA), 20-23 Mai 1996, pp.215-218 , N° 96184
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