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Recristallisation du silicium pour l'isolation diélectrique de circuits intégrés

J.M.DILHAC, M.BAFLEUR, D.ZERROUK, C.GANIBAL

CIP, 2I

Rapport de Contrat : Contrat Région Midi-Pyrénées N°RECH/9407507, Juin 1996, 12p. , N° 96227

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Fabrication of SOI structures by uniform zone melting recrystallization for high voltage IC's

J.M.DILHAC, D.ZERROUK, C.GANIBAL, P.ROSSEL, M.BAFLEUR

CIP, 2I

Manifestation avec acte : 8th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's, Maui (USA), 20-23 Mai 1996, pp.215-218 , N° 96184

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Thermal modeling of a water in a rapid thermal processor

J.M.DILHAC, N.NOLHIER, C.GANIBAL, C.ZANCHI

CIP, 2I, CCM

Revue Scientifique : IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Vol.8, N°4, pp.432-439, Novembre 1995 , N° 95546

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Automatisation d'un bâti d'épitaxie par jets moléculaires

C.GANIBAL, L.AMAT, G.LACOSTE

2I, TEAM

Rapport LAAS N°95364, Septembre 1995 , 43p.

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Recristallisation du silicium pour l'isolation diélectrique de circuits intégrés de puissance haute tension

J.M.DILHAC, M.BAFLEUR, D.ZERROUK, C.GANIBAL

CIP, 2I

Rapport de Contrat : Contrat Région Midi-Pyrénées RECH/9307937, Septembre 1995, 10p. , N° 95365

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Zone melting recrystallization of thick polysilicon films

J.M.DILHAC, D.ZERROUK, C.GANIBAL, P.ROSSEL, M.BAFLEUR

CIP, 2I

Manifestation avec acte : 3rd International Rapid Thermal Processing Conference (RTP'95), Amsterdam (Pays-Bas), 30 Août - 1er Septembre 1995, pp.312-315 , N° 95349

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Commande adaptative multivariable appliquée à la technologie microélectronique

J.P.BABARY, J.M.DILHAC, B.DAHHOU, N.NOLHIER, S.MORALES, C.GANIBAL, L.AMAT

SNL, CIP, EXT, 2I

Rapport de Contrat : Contrat Région Midi-Pyrénées N°9007833, Décembre 1993, 13p. , N° 93504

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Physical modelling for uniformity control of rapid thermal processes

J.M.DILHAC, N.NOLHIER, C.GANIBAL

CIP, 2I

Manifestation avec acte : 1993 IEEE International Conference on Systems, Man and Cybernetics, Le Touquet (France), 17-20 Octobre 1993, pp.7-12 , N° 93400

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Etude de la faisabilité d'une isolation diélectrique par la technique de recristallistion d'une épitaxie sur oxyde

V.MACARY, J.M.DILHAC, R.LOW, C.GANIBAL, M.BAFLEUR

CIP, EXT, 2I

Rapport LAAS N°93358, Octobre 1993, 38p.

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FOX : automatisation des fours d'oxydation

L.AMAT, G.LARREGOLA, C.GANIBAL

2I

Rapport LAAS N°93244, Juillet 1993, 50p.

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