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06162
09/02/2006

A semiconductor switch arrangement and an electronic device

M.ZECRI, L.BERTOLINI, P.BESSE, M.BAFLEUR, N.NOLHIER

FREESCALE, ISGE

Brevet : Brevet N° WO 2006/013211 A1, 9 Février 2006, 56p. , N° 06162

Diffusable

106210
05220
01/11/2005

Different failure signatures of multiple TLP and HBM stresses in an ESD robust protection structure

N.GUITARD, D.TREMOUILLES, P.PERDU, D.LEWIS, V.POUGET, F.ESSELY, M.BAFLEUR, N.NOLHIER, A.TOUBOUL

CIP, CNES-THALES, IXL

Revue Scientifique : Microelectronics Reliability, Vol.45, N°9-11, pp.1415-1420, Septembre-Novembre 2005 , N° 05220

Diffusable

104831
05755
01/11/2005

Methodologie de conception des protections des circuits intégrés contre les décharges électostatiques

N.NOLHIER

ISGE

Habilitation à diriger des recherches : Habilitation, Université Paul Sabatier, Toulouse, 30 Novembre 2005, 89p., Président: L.ESCOTTE, Rapporteurs: O.BONNAUD, D.LEWIS, R.VELAZCO, Examinateurs: C.HUET, G.MENEGHESSO, Directeur de thèse: M.BAFLEUR, Membre invité: P.RENAUD , N° 05755

Lien : http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00265344/fr/

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Résumé

La problématique des agressions par décharges électrostatiques (ESD) est un facteur critique dans la fiabilité des circuits intégrés. Ce document effectue la synthèse des travaux menés au LAAS-CNRS dans ce domaine. Les points suivants seront plus particulièrement abordés : - L'étude des mécanismes physiques qui gèrent le comportement d'un composant lors d'une décharge ESD - La mise en place d'une méthodologie de conception de structures de protection - Son application au développement de solutions de protection innovantes La dernière partie de ce document propose les perspectives de cet axe de recherche qui sont principalement motivés par les progrès technologiques des circuits intégrés, l'évolution des normes de robustesse et l'extension de nos travaux au niveau du système.

Abstract

Electrostatic Discharge (ESD) stresses strongly impact on integrated circuits reliability. The research work led in LAAS-CNRS laboratory on this field is synthesized in this document. The following topics are detailed : - physical mechanisms study of device behavior during an ESD stress - design methodology for ESD protection devices - novelty ESD protections development The final part of this report presents an outlook which is closely tied to integrated circuits technology advance, ESD standard development and system level approach.

Mots-Clés / Keywords
Décharges électrostatiques (ESD); ESD; Protections ESD; TLP; Régimes fortes injections; Electrostatic discharges (ESD); ESD protections; Very high current injection;

113183
05220
10/10/2005

Different failure signatures of multiple TLP and HBM stresses in an ESD robust protection structure

N.GUITARD, D.TREMOUILLES, P.PERDU, D.LEWIS, V.POUGET, F.ESSELY, M.BAFLEUR, N.NOLHIER, A.TOUBOUL

CIP, CNES-THALES, IXL

Manifestation avec acte : 16th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF'2005), Arcachon (France), 10-14 Octobre 2005 , N° 05220

Diffusable

104830
05434
07/10/2005

Modélisation et caractérisation de pistes sur carte électronique avec la méthode TDR (Time Domain Reflectometry)

N.LACRAMPE, N.NOLHIER, M.BAFLEUR

CIP

Rapport LAAS N°05434, Octobre 2005, 61p.

Diffusion restreinte

104346
04622
22/05/2005

Efficient TCAD methodology for ESD failure current prediction of smart power ESD protections

C.SALAMERO, N.NOLHIER, M.BAFLEUR, P.BESSE

CIP, FREESCALE

Manifestation avec acte : 17th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPDS'05), Santa Barbara (USA), 22-26 Mai 2005, pp.115-118 , N° 04622

Diffusable

104053
04621
17/04/2005

Accurate prediction of the ESD robustness of semiconductor devices through physical simulation

C.SALAMERO, N.NOLHIER, M.BAFLEUR, M.ZECRI

CIP, FREESCALE

Manifestation avec acte : International Reliability Physics Symposium (IRPS'2005), San José (USA), 17-21 Avril 2005, pp.106-111 , N° 04621

Diffusable

103538
05218
01/04/2005

Comparison between low levels TLP and FTLP of a single finger grounded gate nMOS transistor

C.GALY, V.BERLAND, M.BAFLEUR, N.NOLHIER, F.BLANCHARD

UPS, LORE, CIP, Philips Zurich

Rapport LAAS N°05218, Avril 2005, 5p.

Diffusable

103589
04651
01/11/2004

Rapport final d'avancement des travaux dans le cadre du laboratoire commun, Laboratoire Circuits Intégrés de Puissance SMARTMOS

M.BAFLEUR, A.CAZARRE, J.M.DILHAC, J.M.DORKEL, C.GANIBAL, H.GRANIER, K.ISOIRD, A.MARTY, N.MAURAN, F.MORANCHO, N.NOLHIER, B.ROUSSET, D.RAMIS, G.SARRABAYROUSE, E.SCHEID, P.TOUNSI, H.TRANDUC, L.ALLIRAND, F.BERGERET, L.BERTOLINI, J.L.CHAPTAL, A.DERAM, I.DERAM, E.HEMON, P.HUI, C.LOCHOT, B.LOPES, J.MARGHERITTA, B.PETERSON, P.RENAUD, J.M.REYNES, M.ZECRI, S.ALVES, I.BERTRAND, P.BESSE, A.FEYBESSE, J.P.LAINE, L.MONTAGNER-MORANCHO, O.PERAT, S.ROUX, C.SALAMERO, J.B.SAUVEPLANE, O.GONNARD

2I, TEAM, CIP, TMN, FREESCALE, LCIP2

Rapport de Contrat : Contrat LCIP N°1411684-00, Novembre 2004, 78p. , N° 04651

Non diffusable

103042
04284
04/10/2004

Low frequency noise measurements for ESD latent defect detection in high reliability applications

N.GUITARD, D.TREMOUILLES, M.BAFLEUR, L.ESCOTTE, L.BARY, P.PERDU, G.SARRABAYROUSE, N.NOLHIER, R.REYNA ROJAS

CIP, CISHT, 2I, CNES-THALES, TMN, CNES

Manifestation avec acte : 15th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF'2004), Zurich (Suisse), 4-8 Octobre 2004 , N° 04284

Diffusable

102678
Pour recevoir une copie des documents, contacter doc@laas.fr en mentionnant le n° de rapport LAAS et votre adresse postale. Signalez tout problème de fonctionnement à sysadmin@laas.fr. http://www.laas.fr/pulman/pulman-isens/web/app.php/