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VF-TLP based methodology for the prediction of ESD immunity of a PCB
N.LACRAMPE, F.CAIGNET, N.NOLHIER, M.BAFLEUR
ISGE
Manifestation avec acte : 1st Annual International Electrostatic Discharge Workshop, Lake Tahoe (USA), 14-17 Mai 2007, 2p. , N° 06807
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110763Analyse des propriétés électriques de MEMS RF sous contraintes DC et décharges électrostatiques
J.RUAN, N.NOLHIER, M.BAFLEUR, L.BARY, F.COCCETTI, R.PLANA
MINC, ISGE, 2I
Manifestation avec acte : 15èmes Journées Nationales Micro-ondes (JNM'2007), Toulouse (France), 23-25 Mai 2007, 4p. , N° 07311
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Résumé
Les intérêts de recherche exposés dans cette présentation écrite portent sur la fiabilité et l'analyse de défaillance des microcommutateurs MEMS RF capacitifs à base de Nitrure d'Aluminium (AlN). Ce sujet s'étend sur deux axes, tout d'abord le chargement du diélectrique a été expérimenté à l'aide de contraintes DC qui se traduit par un décalage de la tension d'activation du dispositif si on observe l'évolution du paramètre S21 en fonction de la tension de polarisation. La cinétique de ce décalage a été calculée et reportée sur une figure de mérite incluant d'autres résultats déjà publiés. Il sera montré que l'AlN a une meilleure propriété de chargement que le nitrure de silicium (Si3N4). Ensuite, les premières expériences de décharge électrostatique (ESD) à l'aide d'une méthode dite TLP (Transmission Line Pulse) ont montré leur comportement face aux phénomènes disruptifs produits pour des niveaux d'impulsions assez élevés. Des zones de fusion sur la membrane et sur le diélectrique sont visibles après l'apparition d'arcs électriques et ces dégradations se vérifient également sur les caractéristiques micro-ondes.
Rapport intermédiaire du laboratoire commun LISPA
P.ALOISI, C.ALONSO, M.BAFLEUR, V.BOITIER, F.CAIGNET, P.DUBREUIL, B.ESTIBALS, E.IMBERNON, K.ISOIRD, H.E.DKOTB MAHFOZ, N.MAURAN, F.MORANCHO, N.NOLHIER, J.ROIG GUITART, B.ROUSSET, C.SALAMERO, J.L.SANCHEZ, E.SCHEID, H.TRANDUC, B.CHAUDRET, M.KHAN, A.MAISONNAT, C.ESTOURNES, J.L.CHAPTAL, A.DERAM, R.ESCOFFIER, U.MONIRAT, P.RENAUD, J.M.REYNES, E.STEFANOV, B.VRIGNON, J.CALVENTE
ISGE, TEAM, 2I, M2D, LCC, CIRIMAT, FREESCALE, DEEEA
Rapport de Contrat : Laboratoire Commun LISPA, Mai 2007, 20p. , N° 07273
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110604Efficient high voltage no-snapback and low RON ESD protection device for smart power technologies
P.RENAUD, A.GENDRON, M.BAFLEUR, N.NOLHIER
FREESCALE, ISGE
Manifestation avec acte : 1st Annual International Electrostatic Discharge Workshop, Lake Tahoe (USA), 14-17 Mai 2007, 2p. , N° 06772
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110761Deep trench NPN transistor for low-Ron ESD protection of high-voltage I/Os in advanced smart power technology
A.GENDRON, C.SALAMERO, N.NOLHIER, M.BAFLEUR, P.RENAUD, P.BESSE
FREESCALE, ISGE
Manifestation avec acte : 2006 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM'2006), Maastricht (Pays-Bas), 8-10 Octobre 2006, pp.150-153 , N° 06210
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108244Area-efficient reduced and no-snapback PNP-based ESD protection in advanced smartpower technology
A.GENDRON, P.RENAUD, P.BESSE, C.SALAMERO, M.BAFLEUR, N.NOLHIER
ISGE, FREESCALE
Manifestation avec acte : 28th Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium, Tucson (USA), 10-14 Septembre 2006, pp.69-76 , N° 06087
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108245TCAD methodology for ESD robustness prediction of smart power ESD devices
C.SALAMERO, N.NOLHIER, A.GENDRON, M.BAFLEUR, P.BESSE, M.ZECRI
FREESCALE, ISGE
Revue Scientifique : IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Vol.6, N°3, pp.399-407, Septembre 2006 , N° 06014
Lien : http://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00195294/fr/
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Abstract
This paper presents a new method to predict the electrostatic-discharge (ESD) protection robustness of a device with technology-in-computer-aided-design (TCAD) simulations. Tested on different devices and two Smart Power technologies, the results are validated through electrical measurement and failure analysis. Failure current is always predicted with a good accuracy compared to technology spreading. In addition, the methodology provides a significant simulation time speedup compared to classical methods based on a temperature criterion
Mots-Clés / Keywords
Electrostatic discharge (ESD); Predictive simulation; Robustness; Smart power technology; TCAD simulation;
Original methodology for integrated circuit ESD immunity combining VF-TLP and near field scan testing
N.LACRAMPE, A.BOYER, N.NOLHIER, F.CAIGNET, M.BAFLEUR
ISGE, LESIA-INSA
Manifestations avec acte à diffusion limitée : 3rd EOS/ESD/EMI Workshop, Toulouse (France), 18-19 Mai 2006, pp.51-54 , N° 06205
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107342Comparison of efficient solutions for the ESD protection of high-voltage I/Os in advanced smart power technology
A.GENDRON, C.SALAMERO, N.NOLHIER, M.BAFLEUR, P.RENAUD, P.BESSE
ISGE, FREESCALE
Manifestations avec acte à diffusion limitée : 3rd EOS/ESD/EMI Workshop, Toulouse (France), 18-19 Mai 2006, pp.19-22 , N° 06528
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107487Overvoltage during FTLP compared to TLP on a single finger grounded gate nMOS transistor
P.GALY, V.BERLAND, M.BAFLEUR, N.NOLHIER
Microelectronics, LORE, ISGE
Manifestations avec acte à diffusion limitée : 3rd EOS/ESD/EMI Workshop, Toulouse (France), 18-19 Mai 2006, pp.83-87 , N° 06529
Diffusable
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