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ESD system level characterization and modeling methods applied to a LIN transceiver
P.BESSE, F.LAFON, N.MONNEREAU, F.CAIGNET, J.P.LAINE, A.SALLES, S.RIGOUR, M.BAFLEUR, N.NOLHIER, D.TREMOUILLES
FREESCALE, Valeo, ISGE
Manifestation avec acte : Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium (EOS/ESD 2011), Anaheim (USA), 11-16 Septembre 2011, pp.5B.3-1-5B.3-9 , N° 11059
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125587Very high bandwith ESD on-chip sampling measurement waveform in system level conditions
F.CAIGNET, A.WANG, N.MAURAN, N.MONNEREAU, N.NOLHIER
ISGE, 2I
Rapport LAAS N°11060, Février 2011, 4p.
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123995Building-up of system level ESD modeling: Impact of a decoupling capacitance on ESD Propagation
N.MONNEREAU, F.CAIGNET, D.TREMOUILLES, N.NOLHIER, M.BAFLEUR
ISGE, ESE
Manifestation avec acte : Electrical Overstress / Electrostatic Discharge Symposium (EOS/ESD Symposium 2010), Reno (USA), 3-8 Octobre 2010, pp.127-136 , N° 10099
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122827Transient voltage overshoots of high voltage ESD protections based on bipolar transistors in smart power technology
A.DELMAS, A.GENDRON, M.BAFLEUR, N.NOLHIER, C.GILL
FREESCALE, ISGE
Manifestation avec acte : IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM 2010), Austin (USA), 4-6 Octobre 2010, pp.253-256 , N° 10969
Lien : http://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00722641
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Abstract
Transient voltage overshoots of a high voltage (20 V) ESD clamp based on bipolar transistors in a smart power technology are studied using different TLP pulse conditions (rise time, voltage amplitude). The physical mechanisms involved during the ESD clamp turn-on are thoroughly analyzed by the mean of TCAD simulations, allowing the definition of a set of design guidelines for the overshoot reduction.
Pulse induced charging tests in capacitive RF-MEMS switches
J.RUAN, G.J.PAPAIOANNOU, D.TREMOUILLES, N.NOLHIER, F.COCCETTI, R.PLANA
MINC, Athenes, ISGE
Manifestation avec acte : European Microwave Week 2010 (EuMC 2010), Paris (France), 26 Septembre - 1 Octobre 2010, pp.517-520 , N° 10610
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123357Compte-rendu intermédiaire T0+6
M.BAFLEUR, F.CAIGNET, K.ABOUDA, P.BESSE, F.LAFON, J.P.LAINE, N.MONNEREAU, N.NOLHIER, A.SALLES, S.RIGOUR, D.TREMOUILLES, A.WANG
ISGE, FREESCALE, Valeo
Rapport de Contrat : Projet ANR-09-VTT-07-01, Septembre 2010, 5p. , N° 10532
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122453Push-pull seesaw principle capacitive RF-MEMS shunt switch
J.RUAN, C.VILLENEUVE, F.COCCETTI, P.PONS, N.NOLHIER, R.PLANA
MINC, ISGE
Manifestation avec acte : International Symposiumon RF MEMS and RF Microsystems (MEMSWAVE 2010), Otranto (Italie), 28-30 Juin 2010, 4p. , N° 10611
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122757Non-invasive system level ESD current measurement using magnetic field probe
F.CAIGNET, N.MONNEREAU, N.NOLHIER
ISGE
Manifestation avec acte : International Electrostatic Discharge Workshop 2010, Tutzing (Allemagne), 10-13 Mai 2010, 17p. , N° 10435
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122323Charging and discharging studies in microwave capacitive switches under high field pulse discharges
J.RUAN, G.J.PAPAIOANNOU, N.NOLHIER, D.TREMOUILLES, F.COCCETTI, R.PLANA
MINC, Athenes, ISGE, 2I
Manifestation avec acte : 10th Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems (SIRF 2010), New Orleans (Etats-unis), 11-13 Janvier 2010, pp.140-143 , N° 09672
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120098Accelerated lifetime test of FR-MEMS switches under ESD stress
J.RUAN, N.NOLHIER, G.J.PAPAIOANNOU, D.TREMOUILLES, V.PUYAL, C.VILLENEUVE, T.IDDA, F.COCCETTI, R.PLANA
MINC, ISGE, Athenes, 2I
Manifestation avec acte : 20th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF 2009), Arcachon (France), 5-9 Octobre 2009 , N° 09582
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