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Efficiency of embedded on-chip EMI protections to continuous harmonic and fast transient pulses with respect to substrate injection
A.ALAELDINE, N.LACRAMPE, J.L.LEVANT, R.PERDRIAU, M.RAMDANI, F.CAIGNET, M.BAFLEUR, E.SICARD
ESEO, ISGE, ATMEL Nantes, INSAT
Manifestation avec acte : 2007 IEEE International Symposium on Electromagnetic Compatibility, Honolulu (USA), 8-13 Juillet 2007 , N° 07014
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Abstract
This paper presents a comparative study of the efficiency of several embedded EMI protections for integrated circuits (ICs) with respect to direct power injection (DPI) and very fast transmission-line pulsing (VF-TLP) into the substrate of the IC. This study involves three functionally identical cores, differing only by their EMI protection strategies (RC protection, isolated substrate, meshed power supply network) which were initially designed for low-emission design guidelines. Through extensive measurements, a classification between these strategies is established for both injection methods, leading to the introduction of design guidelines for the minimization of conducted susceptibility to substrate injection.
Failure mechanisms of AlN based RF-MEMS switches under DC and ESD stresses
J.RUAN, N.NOLHIER, M.BAFLEUR, L.BARY, N.MAURAN, F.COCCETTI, T.LISEC, R.PLANA
ISGE, 2I, FHG, MINC
Manifestation avec acte : 14th International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits, 2007. IPFA 2007 , Bengalore (Inde), 11-13 Juillet 2007, pp.120-123 , N° 07223
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112332Dielectric material charging and ESD stress of AlN-based capacitive RF MEMS
J.RUAN, N.NOLHIER, M.BAFLEUR, L.BARY, N.MAURAN, F.COCCETTI, T.LISEC, R.PLANA
MINC, ISGE, 2I, FHG
Manifestation avec acte : 8th International Symposium on RF MEMS and RF Microsystems (MEMSWAVE 2007), Barcelone (Espagne), 26-29 Juin 2007, 4p. , N° 07312
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110866Efficient high voltage no-snapback and low RON ESD protection device for smart power technologies
P.RENAUD, A.GENDRON, M.BAFLEUR, N.NOLHIER
FREESCALE, ISGE
Manifestation avec acte : 1st Annual International Electrostatic Discharge Workshop, Lake Tahoe (USA), 14-17 Mai 2007, 2p. , N° 06772
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110761Trapped charges detection after CDM stress using a sensitive failure analysis low frequency noise measurement technique
Y.GAO, N.GUITARD, M.BAFLEUR, L.BARY, L.ESCOTTE, P.GUEULLE, L.LESCOUZERES
ISGE, 2I, MOST, ON Semiconductor
Manifestation avec acte : 1st Annual International Electrostatic Discharge Workshop, Lake Tahoe (USA), 14-17 Mai 2007, 2p. , N° 06771
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110762Rapport intermédiaire du laboratoire commun LISPA
P.ALOISI, C.ALONSO, M.BAFLEUR, V.BOITIER, F.CAIGNET, P.DUBREUIL, B.ESTIBALS, E.IMBERNON, K.ISOIRD, H.E.DKOTB MAHFOZ, N.MAURAN, F.MORANCHO, N.NOLHIER, J.ROIG GUITART, B.ROUSSET, C.SALAMERO, J.L.SANCHEZ, E.SCHEID, H.TRANDUC, B.CHAUDRET, M.KHAN, A.MAISONNAT, C.ESTOURNES, J.L.CHAPTAL, A.DERAM, R.ESCOFFIER, U.MONIRAT, P.RENAUD, J.M.REYNES, E.STEFANOV, B.VRIGNON, J.CALVENTE
ISGE, TEAM, 2I, M2D, LCC, CIRIMAT, FREESCALE, DEEEA
Rapport de Contrat : Laboratoire Commun LISPA, Mai 2007, 20p. , N° 07273
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110604LEGO process for mixed power applications: fabrication at low cost of localized thick SOI layers
I.BERTRAND, J.M.DILHAC, P.RENAUD, M.BAFLEUR, C.GANIBAL
ISGE, FREESCALE, 2I
Manifestation avec acte : 211th Meeting of the Electrochemical Society (ESC 2007), Chicago (USA), 6-11 Mai 2007, pp.327-332 , N° 07030
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110122Analyse des propriétés électriques de MEMS RF sous contraintes DC et décharges électrostatiques
J.RUAN, N.NOLHIER, M.BAFLEUR, L.BARY, F.COCCETTI, R.PLANA
MINC, ISGE, 2I
Manifestation avec acte : 15èmes Journées Nationales Micro-ondes (JNM'2007), Toulouse (France), 23-25 Mai 2007, 4p. , N° 07311
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Résumé
Les intérêts de recherche exposés dans cette présentation écrite portent sur la fiabilité et l'analyse de défaillance des microcommutateurs MEMS RF capacitifs à base de Nitrure d'Aluminium (AlN). Ce sujet s'étend sur deux axes, tout d'abord le chargement du diélectrique a été expérimenté à l'aide de contraintes DC qui se traduit par un décalage de la tension d'activation du dispositif si on observe l'évolution du paramètre S21 en fonction de la tension de polarisation. La cinétique de ce décalage a été calculée et reportée sur une figure de mérite incluant d'autres résultats déjà publiés. Il sera montré que l'AlN a une meilleure propriété de chargement que le nitrure de silicium (Si3N4). Ensuite, les premières expériences de décharge électrostatique (ESD) à l'aide d'une méthode dite TLP (Transmission Line Pulse) ont montré leur comportement face aux phénomènes disruptifs produits pour des niveaux d'impulsions assez élevés. Des zones de fusion sur la membrane et sur le diélectrique sont visibles après l'apparition d'arcs électriques et ces dégradations se vérifient également sur les caractéristiques micro-ondes.
VF-TLP based methodology for the prediction of ESD immunity of a PCB
N.LACRAMPE, F.CAIGNET, N.NOLHIER, M.BAFLEUR
ISGE
Manifestation avec acte : 1st Annual International Electrostatic Discharge Workshop, Lake Tahoe (USA), 14-17 Mai 2007, 2p. , N° 06807
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110763Improving ESD robustness through guard ring efficiency assessment and optimization. A novel methodology
D.TREMOUILLES, M.SCHOLZ, M.I.NATARAJAN, M.BAFLEUR, M.SAWADA, T.HASEBE, G.GROESENEKEN
IMEC, ISGE, Hanwa
Manifestation avec acte : 45th annual IEEE international Reliability Physics symposium, 2007 , Phoenix (USA), 15-19 Avril 2007, pp.606-607 , N° 06202
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Abstract
The new measurement methodology allows extracting guard ring efficiency under ESD stress conditions. A new figure of merit to design latch-up protection around ESD protection structures is defined and showed that an optimal sizing of critical dimension can be achieved to enhanced ESD protection levels. The efficiency of the approach opens a new area to study latch-up guard ring design with respect to ESD stress conditions. The methodology could be used to address the impact of technology parameters like STI depth, doping profiles and is generic enough to be applied to any kind of ESD protection strategies and devices