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Power Generation and Management Strategies for a Wireless Sensor Network deployed for Large Aircraft In-Flight Tests
D.MEEKHUN, V.BOITIER, J.M.DILHAC, M.BAFLEUR, C.ALONSO
ISGE
Rapport LAAS N°10114, Février 2010
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120614Failure mechanisms of discrete protection device subjected to repetitive electrostatic discharges (ESD)
M.DIATTA, E.BOUYSSOU, D.TREMOUILLES, P.MARTINEZ, F.ROQUETA, O.ORY, M.BAFLEUR
ISGE, ST
Manifestation avec acte : 20th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF 2009), Arcachon (France), 5-9 Octobre 2009, pp.1103-1106 , N° 09463
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118957Sensitive volume and triggering criteria of SEB in classic planar VDMOS
A.LUU, P.AUSTIN, N. BUARD, T.CARRIERE, P.POIROT, R.GAILLARD, M.BAFLEUR, G.SARRABAYROUSE
ISGE, EADS, INFODUC SARL, M2D
Manifestation avec acte : European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS 2009), Bruges (Belgique), 14-18 Septembre 2009, pp.552-558 , N° 09710
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122514Cross-functional design of wireless sensor networks applied to Aircraft Health Monitoring
J.M.DILHAC, M.BAFLEUR, J.Y.FOURNIOLS, C.ESCRIBA, R.PLANA, D.DRAGOMIRESCU, L.ASSOUERE, P.PONS, H.AUBERT, C. BUCHHEIT
ISGE, N2IS, MINC, AIRBUS
Manifestation avec acte : International Workshop on Structural Health Monitoring, Stanford (USA), 9-11 Septembre 2009, pp.901-908 , N° 09773
Lien : http://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00419192/fr/
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120016Local ESD protection structure based on silicon controlled rectifier achieving very low overshoot voltage
J.BOURGEAT, C.ENTRINGER, P.GALY, P.FONTENEAU, M.BAFLEUR
ISGE, ST Microelectronics
Manifestation avec acte : 31st Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium, EOS/ESD 2009, Anaheim (Etats-Unis), 30 Août-4 septembre 2009, pp.314-321 , N° 09011
Lien : http://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00445672/fr/
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119975Accurate transcient behaviour measurement of high-voltage ESD protections based on a very fast transmission-line pulse system
A.DELMAS, D.TREMOUILLES, N.NOLHIER, M.BAFLEUR, N.MAURAN, A.GENDRON
ISGE, 2I
Manifestation avec acte : 31st Annual Electrical Overstress/Electrostratic Discharge Symposium (EOS/ESD), Anaheim (USA), 30 Août - 4 septembre 2009 , N° 09077
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118954Convertisseur à faible consommation pour la récupération d'énergie ambiante combinant deux sources pour application aéronautique
C.VANHECKE, L.ASSOUERE, M.BAFLEUR, J.M.DILHAC, C.ROSSI
Thalès Alenia Space, ISGE, N2IS
Manifestation avec acte : 8ème journées d'étude Faible Tension Faible Consommation (FTFC 2009), Neuchatel (Suisse), 3-5 Juin 2009, 6p. , N° 09229
Lien : http://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00382788/fr/
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Résumé
Cet article décrit l'architecture et la conception du circuit de conditionnement d'énergie d'un microgénérateur multi-source pour une application aéronautique de maintenance préventive, ou AHM (Aircraft Health Monitoring). L'originalité du microgénérateur est qu'il récupère l'énergie de l'environnement, ici les gradients thermiques et les vibrations de structure, et que son stockage se fait non pas sur une batterie mais sur des supercondensateurs. L'architecture choisie permet une autopolarisation du circuit, même en cas de décharge complète des supercondensateurs, et permet de fournir en sortie du régulateur une puissance moyenne de l'ordre du milliwatt pendant 1 heure.
Size effects on varistor properties made from zinc oxide nanoparticles by low temperature spark plasma sintering
L.SAINT-MACARY, M.L.KAHN, C.ESTOURNES, P.FAU, D.TREMOUILLES, M.BAFLEUR, P.RENAUD, B.CHAUDRET
LCC, CIRIMAT, ISGE, FREESCALE
Revue Scientifique : Advanced Functional Materials, Vol.19, N°11, pp.1775-1783, Mai 2009 , N° 08428
Lien : http://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00383348/fr/
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Abstract
Conditions for the elaboration of nanostructured varistors by Spark Plasma Sintering (SPS) are investigated, using 8 nm zinc oxide nanoparticles synthesized following an organometallic approach. A binary system constituted of zinc oxide and bismuth oxides nanoparticles is used for this purpose. It is synthesized at room temperature in an organic solution through the hydrolysis of dicyclohexylzinc and bismuth acetate precursors. Sintering of this material is performed by SPS at various temperatures and dwell times. The determination of the microstructure and the chemical composition of the as prepared ceramics are based on Scanning Electron Microscopy (SEM) and X-Ray Diffraction (XRD) analysis. The non linear electrical characteristics are evidenced by current-voltage (I-V) measurements. The breakdown voltage of these nanostructured varistors strongly depends on grain sizes. The results show for the first time that, nanostructured varistors are obtained by SPS at sintering temperatures ranging from 550 to 600°C.
Mots-Clés / Keywords
Organometallic; Zinc oxide; Nanoparticles; Spark plasma sintering; Varistor;
ESD stress in RF-MEMS capacitive switches: the influence of dielectric material deposition method
J.RUAN, G.J.PAPAIOANNOU, N.NOLHIER, M.BAFLEUR, F.COCCETTI, R.PLANA
MINC, Athenes, ISGE, 2I
Manifestation avec acte : International Reliability Physics Symposium (IRPS 2009), Montréal (Canada), 26-30 Avril 2009, 5p. , N° 09244
Lien : http://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00445676/fr/
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Mots-Clés / Keywords
ESD; Charging; Dielectric material; Reliability; RF MEMS;
ESD failure signature in capacitive RF MEMS switches
J.RUAN, G.J.PAPAIOANNOU, N.NOLHIER, N.MAURAN, M.BAFLEUR, F.COCCETTI, R.PLANA
MINC, Athenes, ISGE, 2I
Revue Scientifique : Microelectronics Reliability, Vol.48, N°8-9, pp.1237-1240, Novembre 2008 , N° 08457
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Abstract
RF MEMS are commonly known as electrostatic devices using high electric field for their actuation. They can be exposed to transient voltages in any environment, and are very sensitive. According to this point of view, it is necessary to understand and analyze the degradations and failure criteria that can make them useless or reduce their lifetime. This paper deals with the investigation of ESD failure signature in capacitive RF MEMS. ESD experiments were carried out using a transmission line pulsing technique. It has been observed that electrical discharges give rise to sparks or electrical arcing and induced DC parameter shift, which can directly lead to changes in RF metrics. The contact-less dielectric charging effects of ESD pulses have been reported in this paper. It has been found that induced charges are predominant compared to injected ones through the trend of slope of the shift in the voltage corresponding to the minimum of capacitance.