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Reduction of defect density by rapid thermal annealing in Gaasbi studied by time-resolved photoluminescence
S.MAZZUCATO, P.BOONPENG, H.CARRERE, D.LAGARDE, A.ARNOULT, G.LACOSTE, T.ZHANG, A.BALOCCHI, T.AMAND, X.MARIE, C.FONTAINE
LPCNO, TEAM, PHOTO
Revue Scientifique : Semiconductor Science and Technology, Vol.28, N°2, 022001p., Février 2013 , N° 13010
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129109Three dimensional confinement inIII-V photonic devices with combined oxidation and epitaxial regrowth
F.CHOUCHANE, G.ALMUNEAU, O.GAUTHIER-LAFAYE, A.ARNOULT, P.BOONPENG, G.LACOSTE, C.FONTAINE
PH, TEAM, Chulalongkorn Univ
Manifestation avec acte : E-MRS Spring Meeting 2012, Strasbourg (France), 14-18 Mai 2012, 1p. (Résumé) , N° 12321
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127561Towards free-engineered areas of buried dielectric AlOx in III-V structures
F.CHOUCHANE, G.ALMUNEAU, O.GAUTHIER-LAFAYE, A.ARNOULT, G.LACOSTE, C.FONTAINE
PH, TEAM
Manifestation avec acte : Site Controlled Epitaxy Workshop, Heraklion (Grèce), 30 Avril 2012, 1p. (Résumé) , N° 12319
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127557A new approach of planar oxidation of buried AlxGa1–xAs/GaAs epitaxial structures for optical and electrical confinement applications
F.CHOUCHANE, J.B.DOUCET, A.ARNOULT, G.LACOSTE, C.FONTAINE, G.ALMUNEAU
PH, TEAM
Revue Scientifique : Physica Status Solidi (c), Vol.9, N°2, pp.338-341, Février 2012 , N° 12042
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Abstract
Observation of overstrain in the coalescence zone of AlAs/AlOx oxidation fronts
F.CHOUCHANE, G.ALMUNEAU, O.GAUTHIER-LAFAYE, A.MONMAYRANT, A.ARNOULT, G.LACOSTE, C.FONTAINE
TEAM, PH
Revue Scientifique : Applied Physics Letters, Vol.98, N°26, 261921p., Juin 2011 , N° 11163
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124961Advances in buried oxide confinement engineering in AlxGa1-xAs/GaAs epitaxial structures
F.CHOUCHANE, J.B.DOUCET, A.ARNOULT, G.LACOSTE, C.FONTAINE, G.ALMUNEAU
PH, TEAM
Manifestation avec acte : International Symposium on Compound Semiconductors, Compound Semiconductor Week (CSW 2011), Berlin (Allemagne), 22-26 Mai 2011, 2p. , N° 11179
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125004Contrôle fin du procédé d'oxydation de couches AlxGa1-xAs enterrés
F.CHOUCHANE, G.ALMUNEAU, O.GAUTHIER-LAFAYE, A.MONMAYRANT, A.ARNOULT, G.LACOSTE, C.FONTAINE
TEAM, PH
Manifestation sans acte : Journées Nano Micro et Optoélectronique (JNMO 2010), Les Issambres (France), 28 Septembre - 1 Octobre 2010, 1p. (Résumé) , N° 10653
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122964Reprise de croissance par épitaxie par jets moléculaires sur GaAs: planéité de surface et luminescence de puits GalnAs-GaAs épitaxiés à proximité de l'interface
C.FONTAINE, O.DESPLATS, G.LACOSTE, A.ARNOULT
PH, TEAM
Manifestation sans acte : Journées Nano Micro et Optoélectronique (JNMO 2010), Les Issambres (France), 28 Septembre - 1 Octobre 2010, 1p. (Résumé) , N° 10619
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122963Molecular beam regrowth of GaInAs-GaAs quantum wells on GaAs substrates
C.FONTAINE, O.DESPLATS, G.LACOSTE, A.ARNOULT
PH, TEAM
Manifestation avec acte : International Conference on Molecular Beam Epitaxy (BME 2010), Berlin (Allemagne), 22-27 Août 2010, 2p. , N° 10620
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122826On the use of a O2:SF6 plasma treatment on GaAs processed surfaces for molecular beam epitaxial regrowth
O.DESPLATS, P.GALLO, J.B.DOUCET, G.MONIER, L.BIDEUX, L.JALABERT, A.ARNOULT, G.LACOSTE, C.ARMAND, F.VOILLOT, C.FONTAINE
PH, TEAM, LASMEA, INSAT
Revue Scientifique : Applied Surface Science, Vol.255, N°6, pp.3897-3901, Janvier 2009 , N° 08587
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Abstract
Preparation of processed GaAs surface cleaning in view of molecular beam epitaxy regrowth by means of a O2SF6 microwave plasma has been investigated. Photoemission, Auger electron spectroscopy, atomic force microscopy and secondary ion mass spectrometry have been used for characterization. The O2SF6 plasma treatment was found to be very efficient for decontaminating the GaAs surface and leads to the formation of an oxide layer that can be taken off by a thermal or low temperature H-plasma assisted deoxidation. The levels of oxygen and carbon contaminants at the regrowth interface were measured to be in the range of a standard homoepitaxial layer-epiready substrate interface. Fluorine was observed to be eliminated upon deoxidation while sulphur is present, particularly in the case of low temperature grown layers. This plasma treatment was found to be efficient for preparation of processed GaAs surfaces for molecular beam epitaxial regrowth.