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3D Heterogeneous Functional Integration an Alternative Way to Develop New Power Integrated Functions
J.L.SANCHEZ, A.BOURENNANE, M.BREIL, P.AUSTIN, M.BRUNET, J.P.LAUR
ISGE
Manifestation avec acte : XV International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices (IWPSD 2009), New Delhi (Inde), 15-19 Décembre 2009, pp.159-171 , N° 09797
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120102Thyristor dual disjoncteur intégré pour convertisseur à commutation automatique
F.CAPY, M.BREIL, F.RICHARDEAU, E.IMBERNON, J.P.LAUR, J.L.SANCHEZ
LAPLACE, ISGE, TEAM
Revue Scientifique : European Journal of Electrical Engineering, Vol.12, N°2, pp.137-147, Décembre 2009 , N° 09039
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119676Exploring potentials and performance of two circuit architectures to develop a new integrated switch dedicated to self-switching power converters (U)
F.CAPY, M.BREIL, F.RICHARDEAU, J.P.LAUR, A.BOURENNANE, J.L.SANCHEZ
ISGE, LAPLACE
Manifestation avec acte : European Conference on Power Electronics and Applications (EPE 2009), Barcelone (Espagne), 8-10 Septembre 2009, 8p. , N° 09080
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119398New self-controlled and self-protected IGBT based integrated switch
F.CAPY, J.P.LAUR, M.BREIL, F.RICHARDEAU, M.BRUNET, E.IMBERNON, A.BOURENNANE, C.CARAMEL, P.AUSTIN, J.L.SANCHEZ
ISGE, LAPLACE, TEAM
Manifestation avec acte : 21st International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD'09), Barcelone (Espagne), 14-17 Juin 2009, pp.243-246 , N° 09079
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Abstract
In this paper, we present the realization of a new self-controlled integrated power switch dedicated to selfswitching mode power converters. To achieve this function, an original topology based on an IGBT is proposed. Its operating modes are analyzed using 2D physical simulation. To realize this new power switch, a technological process compatible with the IGBT process and with 3D capacitors realization is proposed.
Potentialities of silicon piezoresistivity for mechanical state monitoring of VDMOS transistors
E.MARCAULT, M.BREIL, P.TOUNSI, J.M.DORKEL, A.BOURENNANE, J.B.SAUVEPLANE
ISGE
Manifestation avec acte : MIXDES 2009, Lodz (Pologne), 25-27 Juin 2009, 5p. , N° 09167
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117983Development of a self-protected and self-controlled integrated power switch: comparison of two circuit architectures
F.CAPY, J.LE GAL, M.BREIL, F.RICHARDEAU, J.P.LAUR, P.AUSTIN, J.L.SANCHEZ
ISGE, LAPLACE
Manifestation avec acte : BIPOLAR/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM), Monterey (USA), 13-15 Octobre 2008, pp.49-52 , N° 08390
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Abstract
In this paper, two topologies are proposed to develop a new self-controlled and selfprotected integrated power switch. Their operation mode is analyzed using 2D physical simulation and compared.
New self-controlled and self-protected integrated power switch
F.CAPY, M.BREIL, F.RICHARDEAU, A.BOURENNANE, J.P.LAUR, J.L.SANCHEZ
ISGE, LAPLACE
Manifestation avec acte : 9th International Seminar on Power Semiconductors (ISPS'08), Prague (République Tchèque), 27-29 Août 2008, 6p. , N° 08410
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Mots-Clés / Keywords
Power functional integration; Self-switching; MOS-thyristor;
A current and voltage bidirectional IGBT based on a Si/Si wafer bonding technique
H.TAHIR, A.BOURENNANE, J.L.SANCHEZ, M.BREIL, P.AUSTIN
ISGE
Manifestation avec acte : 9th International Seminar on Power Semiconductors (ISPS'08), Prague (République Tchèque), 27-29 Août 2008, 7p. , N° 08760
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116476Evolution of an integrated short-circuits protection structure: specific design of a LDMOS transistor
J.LE GAL, C.CARAMEL, A.BOURENNANE, P.AUSTIN, J.L.SANCHEZ, M.BREIL, J.SAIZ, M.MERMET-GUYENNET, E.IMBERNON
ISGE, ALSTOM Transport, PEARL
Manifestation avec acte : 9th International Seminar on Power Semiconductors (ISPS'08), Prague (République Tchèque), 27-29 Août 2008 , N° 08502
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Mots-Clés / Keywords
Integration power devices; Protection structure; LDMOS transistor;
Thyristor dual disjoncteur intégré pour convertisseur à commutation automatique
F.CAPY, M.BREIL, F.RICHARDEAU, J.L.SANCHEZ, E.IMBERNON
ISGE, LAPLACE, TEAM
Manifestation avec acte : XIIème colloque Electronique de Puissance du Futur (EPF 2008), Tours (France), 2-3 Juillet 2008, 4p. , N° 08077
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Résumé
Dans ce papier sont présentés les travaux réalisés en vue de l'intégration monolithique d'un nouvel interrupteur de puissance destiné aux convertisseurs à commutation automatique. Cette fonctionnalité, basée sur le concept d'intégration fonctionnelle, propose de réunir au sein d'un même bloc de silicium des fonctions de protection, d'auto-commande et d'interrupteur de puissance. Son originalité concerne son comportement dynamique car cet interrupteur utilise un nouveau mécanisme de commutation : l'auto-commutation, qui utilise la protection au coeur même du mécanisme de commutation. Après une présentation du cahier des charges et de l'architecture retenue pour réaliser cette nouvelle fonction de puissance originale, nous nous intéressons aux travaux de simulations physiques 2D nécessaires pour concevoir un dispositif basé sur le concept d'intégration fonctionnelle.