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Impact of source metallization ageing on thermo-mechanical characteristics of a vertical power device

E.MARCAULT, M.BREIL, A.BOURENNANE, P.TOUNSI, D.MARTINEAU, P.DUPUY

ISGE, CEMES/CNRS, FREESCALE

Manifestation avec acte : Power Electronics and Applications (EPE 2011), Birmingham (UK), 30 Août - 1 Septembre 2011, pp.1-7 , N° 11117

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Exploring ageing effects on integrated power devices (I-V) for health monitoring

E.MARCAULT, M.BREIL, A.BOURENNANE, P.TOUNSI, P.DUPUY

ISGE, FREESCALE

Manifestation avec acte : Conference on Ph. D. Research in Microelectronics and Electronics (PRIME 2011), Trento (Italie), 4-8 Juillet 2011, 4p. , N° 11108

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Synthèse des travaux du LAAS pour le projet REMAPODE

E.MARCAULT, M.BREIL

ISGE

Rapport LAAS N°11335, Juin 2011, 4p.

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Power devices health monitoring elements free from temperature effects

E.MARCAULT, M.BREIL, P.TOUNSI, A.BOURENNANE, P.DUPUY

ISGE, FREESCALE

Rapport LAAS N°11257, Mai 2011, 4p.

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Impact of VDMOS source metallization ageing in 3D FEM wire lift off modeling

E.MARCAULT, T.AZOUI, M.BREIL, A.BOURENNANE, P.TOUNSI, P.DUPUY

ISGE, FREESCALE

Manifestation avec acte : Thermal, Mechanical and Multi-Physics Simulation and Experiments in Microelectronics and Microsystems (EuroSimE 2011), Linz (Autriche), 17-20 Avril 2011, 2p. , N° 11033

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Impact of the solder joint ageing on IGBT I-V characteristics using 2D physical simulation

E.MARCAULT, M.BREIL, A.BOURENNANE, P.TOUNSI, P.DUPUY

ISGE, FREESCALE

Manifestation avec acte : Thermal, Mechanical and Multi-Physics Simulation and Experiments in Microelectronics and Microsystems (EuroSimE 2011), Linz (Autriche), 17-20 Avril 2011, 2p. , N° 11051

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VDMOS Ron as a mechanical state indicator for device failure anticipation

E.MARCAULT, M.BREIL, A.BOURENNANE, P.TOUNSI, J.M.DORKEL

ISGE

Manifestation avec acte : International Seminar on Power Semiconductors (ISPS'10), Prague (République Tchèque), 1-3 Septembre 2010, pp.67-72 , N° 10251

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A vertical monolithically integrated bidirectional IGBT having all the electrodes on the front side

H.TAHIR, A.BOURENNANE, J.L.SANCHEZ, M.BREIL, J.C.CREBIER

ISGE, G2Elab

Manifestation avec acte : International Seminar on Power Semiconductors (ISPS'10), Prague (République Tchèque), 1-3 Septembre 2010, pp.249-253 , N° 10255

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A brief over view of silicon active and passive power devices technologies: potentialities of evolving towards 3D heterogeneous functional integration

J.L.SANCHEZ, A.BOURENNANE, M.BREIL, P.AUSTIN, M.BRUNET, J.P.LAUR, F.MORANCHO

ISGE

Conférence invitée : International Seminar on Power Semiconductors (ISPS'10), Prague (République Tchèque), 1-3 Septembre 2010, pp.27-36 , N° 10475

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Influence des contraintes mécaniques et thermomécaniques sur les caractéristiques électriques d'un transistor VDMOS

E.MARCAULT, A.BOURENNANE, M.BREIL, P.TOUNSI, J.M.DORKEL

ISGE

Manifestation avec acte : Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique (JNRDM 2010), Montpellier (France), 7-9 Juin 2010, 5p. , N° 10533

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